特許
J-GLOBAL ID：200903050379617975
GaN結晶およびGaN結晶基板の製造方法、それにより得られるGaN結晶およびGaN結晶基板、それらを用いた半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-248866
公開番号（公開出願番号）：特開2005-306709
出願日： 2004年08月27日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】 高品質のGaN結晶およびGaN結晶基板を低圧低温の穏やかな条件で製造可能な製造方法を提供する。 【解決手段】 窒素含有ガス雰囲気下、ガリウムおよびナトリウムの混合融解液において、ガリウムと窒素とを反応させてGaN結晶を生成させるGaN結晶の製造方法において、前記反応を、大気圧を超える加圧条件下で行い、その加圧条件の圧力P1(atm(×1.013×105Pa))を、下記条件式(I)の条件を満たすようにする。P≦P1<(P+45) (I) 前記式(I)において、P(atm(×1.013×105Pa))は、前記混合融解液の温度T°CにおけるGaN結晶が生成する最低圧力である。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
窒素含有ガス雰囲気下、ガリウムおよびナトリウムの混合融解液において、ガリウムと窒素とを反応させてGaN結晶を生成させ、成長させるGaN結晶の製造方法であって、前記反応は、大気圧を超える加圧条件下で行われ、その加圧条件の一部若しくは全部における圧力P1(atm(×1.013×105Pa))が、下記条件式(I)の条件を満たす製造方法。
P≦P1<(P+45) (I)
前記式(I)において、P(atm(×1.013×105Pa))は、前記混合融解液の温度T(°C)におけるGaN結晶が生成する最低圧力である。
IPC (5件)：
C30B29/38
, C30B9/10
, H01L21/208
, H01L33/00
, H01S5/323
C30B29/38 D
, C30B9/10
, H01L21/208 D
, H01L33/00 C
, H01S5/323 610
4G077AA02
, 4G077AB04
, 4G077BE15
, 4G077CD05
, 4G077EA01
, 4G077EA04
, 4G077EA06
, 4G077EC08
, 4G077ED01
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EG11
, 4G077EH06
, 4G077EH09
, 4G077HA02
, 4G077MB12
, 4G077MB32
, 4G077MB33
, 4G077MB35
, 5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041CA40
, 5F041CA63
, 5F053AA03
, 5F053AA44
, 5F053AA46
, 5F053BB27
, 5F053DD20
, 5F053FF04
, 5F053GG01
, 5F053LL02
, 5F053LL03
, 5F053LL10
, 5F053RR20
, 5F173AH22
, 5F173AP03
, 5F173AQ12
, 5F173AQ13
, 5F173AQ14
, 5F173AR81
