特許
J-GLOBAL ID:201003017852761780

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 井上 学 ,  戸田 裕二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-249506
公開番号(公開出願番号):特開2010-080803
出願日: 2008年09月29日
公開日(公表日): 2010年04月08日
要約:
【課題】 複数チャネル出力回路を構成する複数のトランジスタを持つ半導体装置においてセルサイズ縮小および信頼性向上を図る。【解決手段】 複数のチャネル回路構成において、共通の機能を有する複数のチャネルのトランジスタ群を共通のトレンチ溝で囲い、機能の異なるトランジスタ郡に対して絶縁素子分離されていて、ハイサイド側の隣接するトランジスタのコレクタ部を共有化してVH電源に接続すると共に、ローサイド側の隣接するチャネルのトランジスタ群のエミッタ部を共有化してGND電源に接続する。【選択図】 図7
請求項(抜粋):
複数のチャネルを有して構成される半導体装置であって、 共通の機能を有する前記複数のチャネルの素子群が共通の素子分離構造で囲まれると共に、機能の異なる素子同士が前記素子分離構造によって互いに絶縁分離されている ことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件):
H01L 27/08 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/78
FI (5件):
H01L27/08 331A ,  H01L27/04 A ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 301J
Fターム (52件):
5F038BH15 ,  5F038BH16 ,  5F038CA02 ,  5F038CA05 ,  5F038CD02 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA01 ,  5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB02 ,  5F048BB20 ,  5F048BC01 ,  5F048BC02 ,  5F048BC03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048BG06 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F140AA25 ,  5F140AA34 ,  5F140AA39 ,  5F140AB01 ,  5F140AB06 ,  5F140AB10 ,  5F140AC22 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BD19 ,  5F140BF44 ,  5F140BF47 ,  5F140BF51 ,  5F140BF53 ,  5F140BH03 ,  5F140BH09 ,  5F140BH10 ,  5F140BH17 ,  5F140BH30 ,  5F140BH33 ,  5F140BH43 ,  5F140BJ01 ,  5F140CB04
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2005-087252   出願人:NECエレクトロニクス株式会社
審査官引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-025410   出願人:株式会社デンソー

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