半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-025410
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223665
出願日： 1999年02月02日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】絶縁分離用のトレンチ内に形成される酸化膜の薄膜化が図れる構造の半導体装置を提供する。【解決手段】電源電位が印加される複数のPchMOSトランジスタ1をそれぞれ別々に第1のトレンチ20で囲むと共に、接地電位が印加される複数のNchMOSトランジスタ2をそれぞれ別々に第2のトレンチ21で囲み、また複数の第1のトレンチ20を第3のトレンチ23で囲むと共に、複数の第2のトレンチ21を第4のトレンチ24で囲み、さらに第3のトレンチ23の内部における第2のシリコン層5を、電源電位とする。さらに、第3、第4のトレンチ23、24の外部においてシリコン層5をフローティング状態にする。これにより、第1のトレンチ20の両側に高電圧がかからないようにできる。そして、高耐圧を第3、第4のトレンチ23、24で支えればよいため、各トレンチ内の熱酸化膜の膜厚を薄くすることができる。

請求項（抜粋）：

第1のシリコン層(3)と、該第1のシリコン層上に配置された第1の絶縁膜(4)と、該第1の絶縁膜上に形成された第2のシリコン層(5)とを有してなるSOI基板(6)と、前記第2のシリコン層に形成され、電源電圧が印加される複数の第1の半導体素子(1)と、前記第2のシリコン層に形成され、接地電位が印加される複数の第2の半導体素子(2)と、前記第2のシリコン層を貫通して前記第1の絶縁膜に達するように形成され、前記複数の第1の半導体素子のそれぞれを別々に囲むように形成された絶縁分離用の複数の第1のトレンチ(20)と、前記第2のシリコン層を貫通して前記第1の絶縁膜に達するように形成され、前記複数の第2の半導体素子のそれぞれを別々に囲むように形成された絶縁分離用の複数の第2のトレンチ(21)と、前記第2のシリコン層を貫通して前記第1の絶縁膜に達するように形成され、前記複数の第1のトレンチを囲む絶縁分離用の第3のトレンチ(23)と、前記第2のシリコン層を貫通して前記第1の絶縁膜に達するように形成され、前記複数の第2のトレンチを囲む絶縁分離用の第4のトレンチ(24)とを有し、前記第3のトレンチと前記第1のトレンチの間における前記第2のシリコン層は、前記電源電圧とされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/08 331 , H01L 27/08 , H01L 21/76 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 27/08 331 A , H01L 27/08 331 E , H01L 21/76 L , H01L 29/78 621

Fターム (47件)：

5F032AA09 , 5F032AA13 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA82 , 5F032BA02 , 5F032BB01 , 5F032CA03 , 5F032CA17 , 5F032CA19 , 5F032CA24 , 5F032DA12 , 5F032DA22 , 5F032DA43 , 5F032DA53 , 5F048AA01 , 5F048AA05 , 5F048AA07 , 5F048AB07 , 5F048AC03 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BC03 , 5F048BC07 , 5F048BE09 , 5F048BG07 , 5F048BG12 , 5F048BG14 , 5F110AA06 , 5F110AA13 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD22 , 5F110EE23 , 5F110FF12 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110HM02 , 5F110HM12 , 5F110NN62 , 5F110NN66 , 5F110NN74

引用特許：

出願人引用 (6件)

絶縁物分離半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-258738 出願人：日本電装株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-059356 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-136827 出願人：日本電装株式会社

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審査官引用 (6件)

絶縁物分離半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-258738 出願人：日本電装株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-059356 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-136827 出願人：日本電装株式会社

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