特許
J-GLOBAL ID：201003018563405476

結晶が基材端部上に成長しないように基板上にエピタキシャル成長させて窒化物単結晶を製造する方法

発明者：
エリック、オジョ

エリック、オジョ について

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ジャン-ピエール、フォーリー

ジャン-ピエール、フォーリー について

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ベルナール、ボーモン

ベルナール、ボーモン について


出願人/特許権者：
リュミログ

リュミログ について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝 ,  浅野 真理
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-539612
公開番号（公開出願番号）：特表2010-511584
出願日： 2006年12月08日
公開日（公表日）： 2010年04月15日
要約：
本発明は、窒化物の単結晶を、結晶成長に適した基板上にエピタキシャル成長によって製造する方法であって、前記基板上に、基板端部に単結晶が成長しないようにするのに適したマスクが堆積されている、方法に関する。
請求項（抜粋）：
窒化物の単結晶を、結晶成長に適した基板上にエピタキシャル成長によって製造する方法であって、前記基板の結晶成長面の端部に、基板端部に単結晶が成長しないようにするのに適したマスクを堆積すること、を含む方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/04 ,  C30B 33/00 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/04 ,  C30B33/00 ,  H01L21/205
Fターム (35件)：
4G077AA02 ,  4G077AB09 ,  4G077AB10 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF01 ,  4G077EF02 ,  4G077EF03 ,  4G077FG11 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TC14 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF11 ,  5F045DA53
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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