特許
J-GLOBAL ID：201003020026758820
半導体とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2007066584
公開番号（公開出願番号）：WO2008-023821
出願日： 2007年08月27日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：
半導体基板内に複数ドーパントを重畳ドーピングする半導体の製造方法であって、第一のドーパントにより、(2×n)構造を蒸発させ、その細線構造を基板上に形成し、次に、前記半導体基板をエピタキシャル成長可能な温度にして、前記第一のドーパントを蒸着した半導体基板上に、第二あるいは第三以降のドーパントを蒸着させてから、前記半導体基板上に半導体結晶層をエピタキシャル成長させ、次に前記半導体基板内に第一乃至は第二あるいは第三以降のドーパントからなる重畳ドーピング層を形成し、前期重畳ドーピング層を高温アニールすることにより複数ドーパントを電気的あるいは光学的に活性化する。これにより、元素半導体においてもドーパントとしての複数種の元素を特定深さに重畳ドーピング可能とする。
請求項（抜粋）：
元素半導体基板内に複数種の元素のドーパントが重畳ドーピングされている半導体であって、基板の元素半導体の格子定数に対して圧縮歪を発生させる元素が少なくとも一つ存在し、この圧縮歪を基準として膨張歪を発生させる元素とが重畳ドーピングされているとともに、その元素の少なくとも2種類はいずれも電気的あるいは光学的に活性であることを特徴とする半導体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
5F103AA01
, 5F103BB59
, 5F103DD16
, 5F103GG01
, 5F103HH03
, 5F103KK10
, 5F103LL17
, 5F103NN10
, 5F103RR06
