特許
J-GLOBAL ID：201003020366480487
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
板谷 康夫
, 田口 勝美
, 水田 愼一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-059963
公開番号（公開出願番号）：特開2010-212626
出願日： 2009年03月12日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：
【課題】半導体発光素子において、発光効率の低下を抑えつつ発光波長の長波長化を図る。【解決手段】半導体発光素子10は、二つの量子井戸8、9を備える。第1の量子井戸8は、第1の障壁層(CdTe層1、5)と、第1の障壁層に挟まれた第1の井戸層(PbTe層2、4)とから構成され、第2の量子井戸9は、第1の井戸層と第1の井戸層に挟まれた第2の井戸層(SnTe層3)とから構成される。この構造にしたことより、第2の量子井戸の正孔サブバンドの基底準位7が、第1の井戸層のバンドギャップBG内に形成され得るので、第1の量子井戸8の電子サブバンドの基底準位6における電子と、第2の量子井戸9の正孔サブバンドの基底準位7における正孔との再結合による発光を利用して、第1の井戸層のバンドギャップエネルギーよりも小さいエネルギーで発光することが可能になる。従って、発光波長の長波長化を図ることが可能になる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の障壁層と、前記第1の障壁層に挟まれた第1の井戸層とを含む第1の量子井戸と、
前記第1の井戸層と、前記第1の井戸層に挟まれた第2の井戸層とを含む第2の量子井戸とを備え、
前記第2の量子井戸の正孔サブバンドの基底準位が、前記第1の井戸層のバンドギャップ内に形成され、
前記第1の量子井戸の電子サブバンドの基底準位における電子と、前記第2の量子井戸の正孔サブバンドの基底準位における正孔とが再結合して、発光することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/06
, H01L 33/26
, H01S 5/347
H01L33/00 112
, H01L33/00 180
, H01S5/347
5F041AA11
, 5F041CA05
, 5F041CA35
, 5F041CA41
, 5F041CA66
, 5F173AF06
, 5F173AF12
, 5F173AF15
, 5F173AH31
, 5F173AP09
, 5F173AR02
