半導体装置ならびに半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：速水進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-257038
公開番号（公開出願番号）：特開2010-087391
出願日： 2008年10月02日
公開日（公表日）： 2010年04月15日
要約：

【課題】ゲート絶縁膜上のゲート電極の仕事関数を増大させることができ、低い閾値電圧の半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、基板(シリコン基板2)と、シリコン基板2上に設けられたゲート絶縁膜4と、ゲート絶縁膜4上に設けられたゲート電極(Pt含有Ni3Si電極19)を備え、Pt含有Ni3Si電極19が、ゲート絶縁膜4とPt含有Ni3Si電極19との接する部分に、第一金属を含む第一金属シリサイド、および第二金属を含む第二金属シリサイドまたは第二金属を含み、第二金属を含む第二金属シリサイドが、第二金属を含む第二金属シリサイド中のシリコンに対する第二金属の組成比が1より大きい金属リッチシリサイドであることを特徴とする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極を備え、前記ゲート電極が、前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極との接する部分に、第一金属を含む第一金属シリサイド、および第二金属を含む第二金属シリサイドまたは第二金属を含み、前記第二金属を含む第二金属シリサイドが、前記第二金属を含む第二金属シリサイド中のシリコンに対する第二金属の組成比が1より大きい金属リッチシリサイドであることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/28 , H01L 21/823 , H01L 27/092

FI (4件)：

H01L29/78 301G , H01L29/58 G , H01L21/28 301S , H01L27/08 321D

Fターム (80件)：

4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB24 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104BB38 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB08 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB14 , 5F048BB17 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG01 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F140AA06 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BD15 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF08 , 5F140BF09 , 5F140BF32 , 5F140BF38 , 5F140BF40 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG20 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG35 , 5F140BG37 , 5F140BG40 , 5F140BG45 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CE07

引用特許：

出願人引用 (2件)

絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-322094 出願人：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-158908 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-322094 出願人：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-158908 出願人：株式会社東芝

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