特許
J-GLOBAL ID:201003020706834645

ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-048993
公開番号(公開出願番号):特開2010-237662
出願日: 2010年03月05日
公開日(公表日): 2010年10月21日
要約:
【課題】高解像度でラインエッジラフネスが小さく、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すレジスト膜を与えるポジ型レジスト材料を提供する。【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式(1)で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。(R1、R2はH、C1〜4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、C6〜10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基。RはH、C1〜12のアルキル基、O又はSを有していてもよく、C2〜12のアルケニル基、C2〜12のアルキニル基、又はC6〜10のアリール基。R3〜R6はH、あるいはR3とR4、R4とR5、又はR5とR6が結合してベンゼン環を形成してもよい。m、nは1〜4の整数。)【選択図】なし
請求項(抜粋):
カルボキシル基の水素原子が下記一般式(1)で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしていることを特徴とするポジ型レジスト材料。
IPC (6件):
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027 ,  C08F 12/22 ,  C08F 20/26
FI (7件):
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/32 ,  H01L21/30 502R ,  C08F12/22 ,  C08F20/26
Fターム (79件):
2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096GA09 ,  2H125AC00 ,  2H125AC17 ,  2H125AF17P ,  2H125AF34P ,  2H125AF38P ,  2H125AF39P ,  2H125AH08 ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AJ02X ,  2H125AJ07Y ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ42Y ,  2H125AJ48Y ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ64Y ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ65Y ,  2H125AJ70X ,  2H125AL02 ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AL17 ,  2H125AL23 ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN86P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125BA27P ,  2H125CA12 ,  2H125CB12 ,  2H125CB16 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125CD08P ,  2H125CD37 ,  4J100AB00P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AR32R ,  4J100AR32S ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA03S ,  4J100BA11R ,  4J100BA11S ,  4J100BA15P ,  4J100BA50S ,  4J100BA56S ,  4J100BB13S ,  4J100BC43Q ,  4J100BC43S ,  4J100BC48P ,  4J100BC53R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38 ,  4J100JA46
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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