重合性アニオンを有するスルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-273766
公開番号（公開出願番号）：特開2008-133448
出願日： 2007年10月22日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：

【課題】感放射線レジスト材料のベース樹脂を製造するための高分子化合物および単量体、ならびに高解像性かつ粗密依存性及び露光マージンに優れたレジスト材料の提供。【解決手段】高エネルギー線又は熱に感応し、一般式(1a)で示される繰り返し単位のスルホン酸を発生する高分子化合物。(R1は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

高エネルギー線又は熱に感応し、下記一般式(1a)で示される繰り返し単位のスルホン酸を発生する高分子化合物。

IPC (4件)：

C08F 20/38 , G03F 7/039 , H01L 21/027 , G03F 7/004

FI (4件)：

C08F20/38 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R , G03F7/004 503A

Fターム (34件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J100AB07R , 4J100AJ02Q , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL26P , 4J100AL26Q , 4J100AR09R , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA11Q , 4J100BA56P , 4J100BB10Q , 4J100BB12P , 4J100BB17Q , 4J100BB18P , 4J100BC09Q , 4J100BC53Q , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA36 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (11件)

フォトレジスト組成物、その方法及びそれらを含有してなる工業製品
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-252064 出願人：シップレーカンパニーエルエルシー
感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-316385 出願人：JSR株式会社
特許第3613491号公報

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