特許
J-GLOBAL ID:201003020830383384
半導体装置およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
藤村 元彦
, 永岡 重幸
, 高野 信司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-200010
公開番号(公開出願番号):特開2010-040672
出願日: 2008年08月01日
公開日(公表日): 2010年02月18日
要約:
【課題】側面からの入射光を制限しつつ製造工程数を抑えその収率を向上させ得る半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、第1主面および第1主面とは反対側の第2主面の間を貫通する貫通電極6、並びに、第1主面に形成された受光部11および受光部の周囲の第1配線15を有する半導体チップ10と、第1主面の受光部の周囲に接着層9を介して固着されかつ受光部を覆う透光性チップ4と、透光性チップの側面および接着層にのみ固着される遮光性樹脂層5と、を含む。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1主面および前記第1主面とは反対側の第2主面の間を貫通する貫通電極、並びに、前記第1主面に形成された受光部および前記受光部の周囲の第1配線を有する半導体チップと、
前記第1主面の前記受光部の周囲に接着層を介して固着されかつ前記受光部を覆う透光性チップと、
前記透光性チップの側面および前記接着層にのみ固着される遮光性樹脂層と、を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01L 27/14
, H01L 23/02
, H01L 23/06
, H01L 31/02
, H04N 5/335
FI (6件):
H01L27/14 D
, H01L23/02 F
, H01L23/06 A
, H01L31/02 B
, H04N5/335 U
, H04N5/335 V
Fターム (23件):
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118FA06
, 4M118GB01
, 4M118GB13
, 4M118GC11
, 4M118GD04
, 4M118HA02
, 4M118HA33
, 5C024CX03
, 5C024CX11
, 5C024EX21
, 5C024EX23
, 5C024EX24
, 5C024EX25
, 5F088BA16
, 5F088BA18
, 5F088BB03
, 5F088BB06
, 5F088JA03
, 5F088JA07
, 5F088JA20
引用特許:
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