特許
J-GLOBAL ID:200903021036704112

半導体撮像素子およびその製造方法並びに半導体撮像装置とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (11件): 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-332247
公開番号(公開出願番号):特開2007-142058
出願日: 2005年11月17日
公開日(公表日): 2007年06月07日
要約:
【課題】小型、薄型で、容易に作製でき、かつ光学的な雑音を確実に防止した半導体撮像素子およびその製造方法並びに半導体撮像装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】撮像領域13と周辺回路領域14とこの周辺回路領域14内の複数の電極部15とを含み、かつ撮像領域13に複数のマイクロレンズ16が設けられた半導体素子11と、少なくとも撮像領域14を覆う形状を有し、マイクロレンズ16上に透明接着部材20で接着された光学部材18とを備え、光学部材18の側面領域には、この側面領域から反射光又は散乱光が撮像領域へ照射されるのを防止する遮光膜19が形成されている構成からなる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
撮像領域と複数の電極部とを備え、かつ前記撮像領域に複数のマイクロレンズが設けられた半導体素子と、 少なくとも前記撮像領域を覆う形状を有し、前記マイクロレンズ上に透明接着部材で接着された光学部材とを備え、 前記光学部材の側面領域に、遮光部を備えたことを特徴とする半導体撮像素子。
IPC (2件):
H01L 27/14 ,  H04N 5/335
FI (2件):
H01L27/14 D ,  H04N5/335 U
Fターム (24件):
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA02 ,  4M118FA06 ,  4M118GB20 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118HA02 ,  4M118HA11 ,  4M118HA14 ,  4M118HA23 ,  4M118HA24 ,  4M118HA30 ,  5C024AX01 ,  5C024CX01 ,  5C024CY47 ,  5C024CY48 ,  5C024DX01 ,  5C024EX22 ,  5C024EX24 ,  5C024EX25 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (13件)
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