半導体薄膜素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-229922
公開番号（公開出願番号）：特開2010-050467
出願日： 2009年10月01日
公開日（公表日）： 2010年03月04日
要約：

【課題】電子移動度の低下を最小限に抑えつつ、抵抗の温度依存性を低減させ、さらに薄膜製作の再現性や制御性に優れた、n型ドーパントとしてSnを含むInSb薄膜を用いた半導体薄膜素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に直接的にまたは有機物接着層もしくはバッファ層を介して間接的に積層されたInSbを含む化合物半導体薄膜層からなる動作層中もしくは該動作層に隣接したIII-V族化合物半導体層をMBE法により形成する際に、ドーパントとしてSnを、基板温度380°C〜400°Cの範囲、SnのKセル温度500°C以上かつ1000°C以下の範囲でドーピングする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に直接的にまたは有機物接着層もしくはバッファ層を介して間接的に積層されたInSbを含む化合物半導体薄膜層を動作層とし、該動作層中もしくは該動作層と隣接したIII-V族化合物半導体層中にドーパントとしてSnを含む半導体薄膜素子の製造方法であって、前記動作層およびIII-V族化合物半導体層の各層を分子線エピタキシー法(MBE法)により形成する際に、前記Snを基板温度380°Cないし440°Cの範囲、SnのKセル温度500°C以上かつ1000°C以下の範囲でドーピングすることを特徴とする半導体薄膜素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 43/06 , H01L 43/08 , H01L 21/203

FI (3件)：

H01L43/06 S , H01L43/08 S , H01L21/203 M

Fターム (35件)：

5F092AB01 , 5F092AC02 , 5F092AC04 , 5F092BA06 , 5F092BA08 , 5F092BA15 , 5F092BA16 , 5F092BA17 , 5F092BA19 , 5F092BA22 , 5F092BA34 , 5F092BB02 , 5F092BB04 , 5F092BB05 , 5F092BB46 , 5F092BB55 , 5F092BC13 , 5F092BE24 , 5F092BE25 , 5F092CA02 , 5F092CA11 , 5F092FA08 , 5F103AA04 , 5F103DD01 , 5F103DD09 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103HH04 , 5F103JJ03 , 5F103KK10 , 5F103LL20 , 5F103NN02 , 5F103NN10 , 5F103RR04 , 5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-106085
特開昭61-131582
特開昭61-161760

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