特許

J-GLOBAL ID：201003021828778785

レジストパターン形成方法

発明者： 岩井 武 ,  安藤 友之 ,  岩下 淳 ,  竹下 優 ,  松丸 省吾 ,  阿部 翔
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-173563
公開番号（公開出願番号）：特開2010-014886
出願日： 2008年07月02日
公開日（公表日）： 2010年01月21日
要約：

【課題】支持体上に、ポジ型の第一の化学増幅型レジスト組成物を用いて1回目のパターニングを行い、第一のレジストパターンを形成した後、その上にさらに第二の化学増幅型レジスト組成物を用いて2回目のパターニングを行うダブルパターニングプロセスにおいて、第一のレジストパターンを損なうことなく2回目のパターニングを実施でき、微細なレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】第一のパターニング工程で第一のレジストパターンが形成された支持体上に、第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成し、前記第二のレジスト膜を選択的に露光し、露光後ベーク処理を施し、現像してレジストパターンを形成する第二のパターニング工程における露光後ベーク処理を、前記第一のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させないベーク温度で行う。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

支持体上に、第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成し、該第一のレジスト膜を選択的に露光し、露光後ベーク処理を施し、現像して第一のレジストパターンを形成する第一のパターニング工程と、 前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成し、前記第二のレジスト膜を選択的に露光し、露光後ベーク処理を施し、現像してレジストパターンを形成する第二のパターニング工程とを有し、 前記第一の化学増幅型レジスト組成物が、露光によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大するポジ型レジスト組成物であり、 前記第二のパターニング工程における露光後ベーク処理が、前記第一のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させないベーク温度で行われることを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/40 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F7/40 511 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 502C ,  H01L21/30 514A

Fターム (26件)：

2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025FA33 ,  2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  2H096JA02 ,  2H096JA04 ,  5F046AA11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-201310   出願人：東京応化工業株式会社

審査官引用 (2件)

• レジストパターン形成方法およびネガ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-286465   出願人：東京応化工業株式会社
• レジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-360297   出願人：東京応化工業株式会社