特許
J-GLOBAL ID：201003021869685686

半導体装置の制御方法

発明者：
角 博文

角 博文 について

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中村 信男

中村 信男 について

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川人 祥二

川人 祥二 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-177861
公開番号（公開出願番号）：特開2010-259109
出願日： 2010年08月06日
公開日（公表日）： 2010年11月11日
要約：
【課題】カラム方式によるイメージセンサにおいて、S/Nを良好に保ちながらダイナミックレンジを拡大する。【解決手段】固体撮像素子10のプリアンプ部(カラム領域部)61に、垂直信号線158ごとに、画素信号検出部210にて各画素信号の大きさを画素信号増幅部230の出力側で独立に検出し、この信号の大きさに応じて独立に画素信号増幅部230に対してゲインを設定する画素信号制御部200を設ける。固体撮像素子10の後段には、A/D変換部64や信号拡張部310を設け、A/D変換部64でデジタル化した画素信号に対して、画素信号検出部210からの分類信号Vsepaを参照して、各画素信号増幅部230に設定されたゲイン分を補正することで、1画面分の信号のダイナミックレンジを拡大する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
入射された電磁波に対応する信号電荷を生成する電荷生成部と、前記電荷生成部に生成された前記信号電荷に対応する単位信号を生成する単位信号生成部とを単位構成要素内に含み、当該単位構成要素が水平行および垂直列に2次元マトリクス状に配された信号取得部と、前記垂直列ごとに設けられた、前記単位信号を前記水平行ごとに読み出して所定のゲインで増幅して順次出力するカラム処理部とを備えた半導体装置を制御するに当たり、 前記垂直列ごとに設けられた前記カラム処理部は、前記単位構成要素から読み出された単位信号を、設定されたゲインで増幅する増幅回路を含んでおり、 前記垂直列の1行分について、前記信号取得部から出力される単位信号の大きさを検出して、その結果に基づいて1行分の各増幅回路のそれぞれに設定すべきゲインを各別に決定し、この決定した各ゲインで前記増幅回路を動作させるゲイン決定制御処理を行なうとともに、 前記1行分の各増幅回路に設定される各ゲインがそれぞれ異なることに起因して発生する各増幅回路の出力直流レベルの変動を抑制する 半導体装置の制御方法。
IPC (1件)：
H04N 5/335
FI (2件)：
H04N5/335 550 ,  H04N5/335 740
Fターム (10件)：
5C024AX01 ,  5C024CX03 ,  5C024CX43 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024HX17 ,  5C024HX29 ,  5C024HX35 ,  5C024HX50
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (8件)
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