特許
J-GLOBAL ID：201003022526522168

薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタを備える平板表示装置

発明者：
河 載 興

河 載 興 について

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李 鐘 赫

李 鐘 赫 について

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宋 英 宇

宋 英 宇 について

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崔 千 基

崔 千 基 について


出願人/特許権者：
三星モバイルディスプレイ株式會社

三星モバイルディスプレイ株式會社 について


代理人 (1件)： 八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-003341
公開番号（公開出願番号）：特開2010-161373
出願日： 2010年01月08日
公開日（公表日）： 2010年07月22日
要約：
【課題】酸素を含む化合物半導体を活性層とする薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】薄膜トランジスタは、基板10上に形成されたゲート電極12と、ゲート絶縁膜13によりゲート電極12と絶縁され、ゲート電極12を覆うようにゲート絶縁膜13上に形成された、酸素を含む化合物半導体からなる活性層14と、活性層14の上部に形成された保護層15と、活性層14と接触するソース電極16a及びドレイン電極16bと、を備え、保護層15が、チタン酸化物(TiOx)またはチタン酸窒化物(TiOxNy)で形成される。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成されたゲート電極と、 ゲート絶縁膜により前記ゲート電極と絶縁され、前記ゲート電極を覆うように前記ゲート絶縁膜上に形成された、酸素を含む化合物半導体からなる活性層と、 前記活性層の上部に形成された保護層と、 前記活性層と接触するソース電極及びドレイン電極と、を備え、 前記保護層が、チタン酸化物(TiOx)を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/316
FI (3件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/316 Y
Fターム (40件)：
5F058BA02 ,  5F058BA05 ,  5F058BA06 ,  5F058BA09 ,  5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BC03 ,  5F058BC09 ,  5F058BF13 ,  5F058BF14 ,  5F058BF15 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN34 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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