特許
J-GLOBAL ID：200903081032229161

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者：
加地 信幸

加地 信幸 について

, 
林 享

林 享 について

, 
薮田 久人

薮田 久人 について

, 
安部 勝美

安部 勝美 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 山下 穣平 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-050004
公開番号（公開出願番号）：特開2008-218495
出願日： 2007年02月28日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：
【課題】酸化物半導体層の保護膜側界面のキャリア密度がゲート絶縁層側のキャリア密度より小さく、および酸化物半導体層の膜厚が最適化された薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】酸化物半導体層上に保護膜として酸化物絶縁体を形成する際に、酸化性ガスが含まれる雰囲気で成膜し、酸化物半導体の界面付近のキャリア密度を絶縁層側のキャリア密度より小さくする。また、酸化物半導体膜の設計膜厚を30nm±15nmにすることにより、電界効果移動度μ、On/Off比、S値を最適化する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、保護膜とを、少なくとも有する薄膜トランジスタであって、 該酸化物半導体層は、InとGaとZnのうち少なくとも一つの元素を含むアモルファス酸化物であり、該酸化物半導体層のゲート電極側のキャリア密度は保護膜側のキャリア密度より大きく、かつ該酸化物半導体層の膜厚は30nm±15nmであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/136
FI (4件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 619A ,  G02F1/1368
Fターム (57件)：
2H092GA29 ,  2H092JA26 ,  2H092JA33 ,  2H092JA46 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA17 ,  2H092KA18 ,  2H092KB22 ,  2H092KB25 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA22 ,  2H092NA26 ,  5F110AA09 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN34 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264885   出願人：科学技術振興事業団
審査官引用 (3件)

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