特許
J-GLOBAL ID:201003023730573053

リチウムイオン伝導性硫化物系結晶化ガラスの製造方法、及びリチウムイオン伝導性硫化物系結晶化ガラス成形体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 岸本 達人 ,  星野 哲郎 ,  山下 昭彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-092859
公開番号(公開出願番号):特開2010-241643
出願日: 2009年04月07日
公開日(公表日): 2010年10月28日
要約:
【課題】結晶化工程におけるリチウムイオン伝導性硫化物系ガラス粒子の融着を抑制し、微細なリチウムイオン伝導性硫化物系結晶化ガラスを製造すること、及び、均質なリチウムイオン伝導性硫化物系結晶化ガラスの成形体を製造することを目的とする。【解決手段】リチウムイオン伝導性硫化物系ガラス(A)を加熱することにより部分的に結晶化させる、結晶化工程を備える、リチウムイオン伝導性硫化物系結晶化ガラスの製造方法であって、前記結晶化工程において、前記リチウムイオン伝導性硫化物系ガラス(A)と、該結晶化工程における加熱温度以下の温度域で、前記リチウムイオン伝導性硫化物系ガラス(A)と反応しない溶媒(B)と、の混合物を、耐圧密閉容器内で加熱することにより、前記リチウムイオン伝導性硫化物系ガラス(A)を部分的に結晶化させることを特徴とする、リチウムイオン伝導性硫化物系結晶化ガラスの製造方法、並びに、該製造方法により得られたリチウムイオン伝導性硫化物系結晶化ガラス(C)を成形する、成形工程を備えることを特徴とする、リチウムイオン伝導性硫化物系結晶化ガラス成形体の製造方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
リチウムイオン伝導性硫化物系ガラス(A)を加熱することにより部分的に結晶化させる、結晶化工程を備える、リチウムイオン伝導性硫化物系結晶化ガラスの製造方法であって、 前記結晶化工程において、前記リチウムイオン伝導性硫化物系ガラス(A)と、該結晶化工程における加熱温度以下の温度域で、前記リチウムイオン伝導性硫化物系ガラス(A)と反応しない溶媒(B)と、の混合物を、耐圧密閉容器内で加熱することにより、前記リチウムイオン伝導性硫化物系ガラス(A)を部分的に結晶化させることを特徴とする、リチウムイオン伝導性硫化物系結晶化ガラスの製造方法。
IPC (2件):
C03B 32/02 ,  H01B 13/00
FI (2件):
C03B32/02 ,  H01B13/00 Z
Fターム (13件):
4G015EA02 ,  5H029AJ14 ,  5H029AK03 ,  5H029AL06 ,  5H029AL07 ,  5H029AL11 ,  5H029AM12 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ03 ,  5H029CJ08 ,  5H029CJ22 ,  5H029HJ14 ,  5H029HJ15
引用特許:
審査官引用 (5件)
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