特許
J-GLOBAL ID：201003026594823228
クロスポイントに基づくメモリ・アレイ・アーキテクチャのための整流素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上野 剛史
, 太佐 種一
, 市位 嘉宏
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-550694
公開番号（公開出願番号）：特表2010-519762
出願日： 2008年02月14日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：
【課題】クロスポイント・メモリ・アーキテクチャにおいて対称的なまたは実質的に対称的な抵抗性記憶素子を駆動するために整流素子として用いられる、非対称的にプログラムされる(固体電解質材料のような)メモリ材料が記載されている。【解決手段】固体電解質素子(SE)は、オフ状態では非常に高い抵抗を有し、オン状態では非常に低い抵抗を有する(それはオン状態では金属フィラメントであるので)。これらの属性は、それをほぼ理想的なダイオードとする。記憶素子の電流通過の間(プログラム/読み出し/消去の間)、固体電解質材料も低抵抗状態にプログラムする。固体電解質材料の最終状態は、メモリ材料の最終状態が望ましい状態であることを確実にしながら高抵抗状態に復帰させられる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
複数の電極と、
複数のクロスバー素子とを含むクロスポイント・アレイにおいて、各クロスバー素子は前記複数の電極のうちの第1電極および第2電極の間に配置され、各クロスバー素子は、少なくとも、抵抗性メモリ・ノードと直列の整流器として使用される非対称的にプログラムされるメモリ材料を含み、前記整流器は、オン状態では、106A/cm2より大きな超高電流密度を供給する、クロスポイント・アレイ。
IPC (4件)：
H01L 27/10
, G11C 13/00
, H01L 49/00
, H01L 45/00
H01L27/10 451
, G11C13/00 A
, H01L49/00 Z
, H01L45/00 Z
5F083FR01
, 5F083FZ07
, 5F083FZ10
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA60
, 5F083PR40
