特許
J-GLOBAL ID：200903023319809657

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
森本 英徳

森本 英徳 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-015108
公開番号（公開出願番号）：特開2006-203098
出願日： 2005年01月24日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
【課題】 電気的ストレスによる電気抵抗の変化により情報を記憶する可変抵抗体を有する2端子回路にて構成されるメモリセルを備えたクロスポイント型アレイ構成において、双方向の電流を制御でき、非選択メモリセルを流れる寄生電流を抑制可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 メモリセル280は、可変抵抗体230を上部電極240と下部電極250の間に挟持した可変抵抗素子260と、双方向に電流を流せる非線形の電流・電圧特性を有する2端子素子270の直列回路からなり、2端子素子270が、その両端に絶対値が一定値を越える電圧が印加されると、電圧極性に応じて双方向に電流が流れ、印加電圧の絶対値が前記一定値以下の場合に所定の微小電流より大きい電流が流れないスイッチング特性を有し、絶対値が前記一定値を越える所定の高電圧が印加された場合に30kA/cm2以上の電流密度の電流を定常的に流すことができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
電気的ストレスによる電気抵抗の変化により情報を記憶する可変抵抗体を有する2端子回路にて構成されるメモリセルを行方向及び列方向に夫々複数配列したメモリセルアレイを備えてなる不揮発性半導体記憶装置であって、 前記メモリセルは、その両端に絶対値が一定値を越える電圧が印加されると、その電圧極性に応じて双方向に電流が流れ、印加電圧の絶対値が前記一定値以下の場合に所定の微小電流より大きい電流が流れないスイッチング特性を有し、更に、絶対値が前記一定値を越える所定の高電圧が印加された場合に30kA/cm2以上の電流密度の電流を定常的に流すことができることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
H01L 27/10 ,  G11C 13/00
FI (2件)：
H01L27/10 451 ,  G11C13/00 A
Fターム (10件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA60 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第6753561号明細書
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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