特許
J-GLOBAL ID：201003026645118419
圧電素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 有古特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-335785
公開番号（公開出願番号）：特開2010-157648
出願日： 2008年12月29日
公開日（公表日）： 2010年07月15日
要約：
【課題】エアロゾルデポジション法により形成された薄膜を有しながら、膜剥離が発生しにくく、電気評価が良好であるため歩留りが改善されるとともに、優れた圧電特性を達成できる積層型圧電素子を提供する。【解決手段】基板14の上に、第一層11、第二層12、及び第三層13がこの順序で積層された四層構造の圧電素子において、第一層11、第二層12、及び第三層13は、各々がエアロゾルデポジション法によって成膜されたセラミックス膜であり、第一層11の弾性率は第二層12の弾性率よりも大きく、第二層12の弾性率は第三層13の弾性率よりも大きい。第一層11/第二層12/第三層13の具体的態様としては、ZrO2/PZT/PZT、Al2O3/ZrO2/PZT、Al2O3/PZT/PZTがある。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板の上に、第一層、第二層、及び、圧電層たる第三層がこの順序で積層された四層構造の圧電素子であって、
第一層、第二層、及び第三層は、各々がエアロゾルデポジション法によって成膜されたセラミックス膜であり、
第一層の弾性率は第二層の弾性率よりも大きく、第二層の弾性率は第三層の弾性率よりも大きい、圧電素子。
IPC (5件)：
H01L 41/09
, H01L 41/24
, H01L 41/18
, H01L 41/22
, H01L 21/316
H01L41/08 C
, H01L41/22 A
, H01L41/18 101Z
, H01L41/08 L
, H01L41/22 Z
, H01L21/316 B
5F058BA10
, 5F058BB05
, 5F058BC03
, 5F058BD02
, 5F058BD05
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F058BJ04
