特許

J-GLOBAL ID：201003027092687831

両極特性電界効果型トランジスタ及び半導体集積回路装置

発明者： 原田 直樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-308349
公開番号（公開出願番号）：特開2010-135471
出願日： 2008年12月03日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：

【課題】 両極特性電界効果型トランジスタ及び半導体集積回路装置に関し、作製時ではなく使用時に極性を制御することにより、FETに種々の機能を持たせる。【解決手段】 基板上に設けたチャネル領域上に前記チャネル領域のキャリア濃度を制御するゲート電極を設けるとともに、前記ゲート電極から見たトランジスタの極性を変更する電圧印加手段を設ける。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に設けたチャネル領域と、 前記チャネル領域上に設けられて前記チャネル領域のキャリア濃度を制御するゲート電極と、 前記ゲート電極から見たトランジスタの極性を変更する電圧印加手段と を有する両極特性電界効果型トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30

FI (4件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E

Fターム (25件)：

5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA09 ,  5F110AA30 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD22 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 有機半導体膜および有機半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-082912   出願人：セイコーエプソン株式会社
• グラファイト薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-064946   出願人：新技術事業団, 菊地理恵, 大木芳正, 松井丈雄
• グラファイト層の形成方法、該方法によって形成されたグラファイト層を有するX線光学素子及びX線光学素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-058732   出願人：新技術事業団, 松井丈雄, 菊地理恵, 大木芳正