特許
J-GLOBAL ID：201003027166488674
単結晶の育成方法及びその方法で育成された単結晶
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-333290
公開番号（公開出願番号）：特開2010-155726
出願日： 2008年12月26日
公開日（公表日）： 2010年07月15日
要約：
【課題】単結晶の全長にわたって均一で最適な酸素濃度に制御するとともに、グローイン欠陥の無い単結晶を育成する。【解決手段】チャンバ12,19に収容されたるつぼ13に融液15を貯留し、この融液15に種結晶22を浸漬して引上げることにより単結晶11を成長させ、更に融液15表面より上方に設けられた熱遮蔽体28が成長中の単結晶11外周面を包囲してヒータ17による単結晶11外周面への輻射熱の照射を遮る。単結晶11のトップ部の育成時における融液15表面と熱遮蔽体28下端とのギャップGPを20〜60mmに調整し、単結晶11のボトム部の育成時におけるギャップGPを単結晶11のトップ部の育成時におけるギャップGPより大きい40〜80mmに調整し、単結晶11中のトップ部とボトム部との酸素濃度の差を±1.0ppma以下とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チャンバに収容されたるつぼに融液を貯留し、この融液に種結晶を浸漬して引上げることにより単結晶を成長させ、更に前記融液表面より上方に設けられた熱遮蔽体が前記成長中の単結晶外周面を包囲してヒータによる前記単結晶外周面への輻射熱の照射を遮るシリコン単結晶の育成方法において、
前記単結晶のトップ部の育成時における前記融液表面と前記熱遮蔽体下端とのギャップを25〜60mmに調整し、
前記単結晶のボトム部の育成時における前記ギャップを前記単結晶のトップ部の育成時における前記ギャップより大きい40〜80mmに調整し、
前記単結晶中の前記トップ部と前記ボトム部との酸素濃度の差を±1.0ppma以下とする
ことを特徴とする単結晶の育成方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
C30B29/06 502C
, C30B29/06 502J
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077EA07
, 4G077EG12
, 4G077EG19
, 4G077EG25
, 4G077HA12
, 4G077PA06
, 4G077PF43
, 4G077TJ06
