特許

J-GLOBAL ID：200903011538501279

単結晶の製造方法及び単結晶

発明者： 飯田 誠 ,  櫻田 昌弘 ,  三田村 伸晃
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-183833
公開番号（公開出願番号）：特開2005-015290
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】CZ法により単結晶を育成する際に、引上げ速度Vを低速化させずに結晶引上げ中の結晶温度勾配Gの変化を制御することによりV/Gを制御して、所望の欠陥領域を有する単結晶を短時間で効率的に、かつ高い歩留まりで製造することのできる単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】チョクラルスキー法によってチャンバ内で単結晶を原料融液から引上げて製造する方法において、前記単結晶を育成する際に、前記単結晶の直胴部を成長させるときの引上げ速度をV(mm/min)、固液界面近傍の引上げ軸方向の結晶温度勾配をG(°C/mm)で表したとき、該結晶温度勾配Gを前記原料融液の融液面と前記チャンバ内で原料融液面に対向配置された遮熱部材との距離を変更することにより制御して、引上げ速度Vと結晶温度勾配Gの比V/G(mm2/°C・min)を所望の欠陥領域を有する単結晶が育成できるように制御することを特徴とする単結晶の製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によってチャンバ内で単結晶を原料融液から引上げて製造する方法において、前記単結晶を育成する際に、前記単結晶の直胴部を成長させるときの引上げ速度をV(mm/min)、固液界面近傍の引上げ軸方向の結晶温度勾配をG(°C/mm)で表したとき、該結晶温度勾配Gを前記原料融液の融液面と前記チャンバ内で原料融液面に対向配置された遮熱部材との距離を変更することにより制御して、引上げ速度Vと結晶温度勾配Gの比V/G(mm2/°C・min)を所望の欠陥領域を有する単結晶が育成できるように制御することを特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B15/20 ,  C30B29/06

FI (2件)：

C30B15/20 ,  C30B29/06 502J

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EA02 ,  4G077EH09 ,  4G077HA12 ,  4G077PF55

引用特許：

審査官引用 (4件)

• シリコン単結晶の製造方法およびこの方法で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-354447   出願人：信越半導体株式会社
• CZ法単結晶インゴット製造装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-122796   出願人：コマツ電子金属株式会社, 株式会社小松製作所
• シリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-330714   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 単結晶シリコン育成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-100173   出願人：住友シチックス株式会社