特許
J-GLOBAL ID：201003027864259342
半導体発光装置、半導体発光デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (10件)：
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-273548
公開番号（公開出願番号）：特開2010-050490
出願日： 2009年12月01日
公開日（公表日）： 2010年03月04日
要約：
【課題】青色発光素子と蛍光体とを組み合わせてなる半導体発光デバイスの色むらを抑制し、色むらが少ない半導体発光デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光デバイスは、基板と、基板の上に搭載された青色LEDと、青色LEDの周囲を封止する黄色系蛍光体粒子および母材の混合体からなる蛍光体層とを備えたチップ型の半導体発光デバイスである。黄色系蛍光体粒子は、青色LEDが放つ青色光を吸収して550nm以上で600nm以下の波長領域に発光ピークを有する蛍光を放つものであって、化学式(Sr1-a1-b1-x Baa1Cab1Eux )2 SiO4 (0≦a1≦0.3、0≦b1≦0.8、0<x<1)で表される化合物を主体にしてなる珪酸塩蛍光体である。この珪酸塩蛍光体の粒子は、樹脂中にほぼ均一に分散しやすいので、良好な白色光が得られる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体からなる発光素子と、前記発光素子が放つ光が通過する位置に設けられた蛍光体層とを備え、
前記蛍光体層は、透光性樹脂と、前記発光素子が発する光を吸収して蛍光を放つ蛍光体粒子と、一次粒子の平均径が3nm以上50nm以下の超微粒子とからなり、
前記蛍光体粒子は、前記透光性樹脂中に分散しており、
蛍光体粒子濃度が10重量%以上で80重量%以下であり、
前記蛍光体が放つ蛍光と前記発光素子から放たれ前記蛍光体層を通過した光とが加色された光を放つ半導体発光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 410
, C09K11/02 Z
4H001CA01
, 4H001CA07
, 4H001XA08
, 4H001XA14
, 4H001XA20
, 4H001XA32
, 4H001XA38
, 4H001XA56
, 4H001YA63
, 5F041AA11
, 5F041CA40
, 5F041DA03
, 5F041DA07
, 5F041DA09
, 5F041DA18
, 5F041DA20
, 5F041DA26
, 5F041DA44
, 5F041DA45
, 5F041DA46
, 5F041DB01
, 5F041DC83
, 5F041EE25
, 5F041FF01
, 5F041FF05
, 5F041FF11
