半導体装置、その製造方法および固体撮像装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-279474
公開番号（公開出願番号）：特開2010-109138
出願日： 2008年10月30日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：

【課題】本発明は、gmの低下を抑制し、gds、gmbを維持して、MOSトランジスタの高性能化を可能とする。【解決手段】半導体基板11上にゲート絶縁膜12を介して形成されたゲート電極13と、前記ゲート電極13のソース側の前記半導体基板11に形成されたエクステンション領域14と、前記ゲート電極13のソース側の前記半導体基板11にエクステンション領域14を介して形成されたソース領域16と、前記ゲート電極13のドレイン側の前記半導体基板11に形成されたLDD領域15と、前記ゲート電極13のドレイン側の前記半導体基板11にLDD領域15を介して形成されたドレイン領域17を有し、前記エクステンション領域14は前記LDD領域16よりも濃度が高く、前記LDD領域16よりも浅く形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極のソース側の前記半導体基板に形成されたエクステンション領域と、前記ゲート電極のソース側の前記半導体基板に前記エクステンション領域を介して形成されたソース領域と、前記ゲート電極のドレイン側の前記半導体基板に形成されたLDD領域と、前記ゲート電極のドレイン側の前記半導体基板に前記LDD領域を介して形成されたドレイン領域を有し、前記エクステンション領域は前記LDD領域よりも濃度が高く、前記LDD領域よりも浅く形成されている半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 27/146 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (5件)：

H01L29/78 301S , H01L27/14 A , H01L29/78 301L , H01L29/78 616A , H01L29/78 616T

Fターム (43件)：

4M118BA14 , 4M118CA02 , 4M118DD04 , 4M118DD12 , 4M118FA33 , 5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG32 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ06 , 5F110HJ07 , 5F110HJ13 , 5F110HM02 , 5F110HM12 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F140AA05 , 5F140AA21 , 5F140AA40 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BB13 , 5F140BB15 , 5F140BC06 , 5F140BG08 , 5F140BH14 , 5F140BH15 , 5F140BH17 , 5F140BH21 , 5F140BH30 , 5F140BH33 , 5F140BH47 , 5F140BH49 , 5F140BK02 , 5F140BK13

引用特許：

出願人引用 (2件)

イメージセンサ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-187045 出願人：三星電子株式会社
エピタキシャルウエハ製造方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-194124 出願人：株式会社スーパーシリコン研究所

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-251450 出願人：三洋電機株式会社
高耐圧用トランジスタを有する半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-039027 出願人：ソニー株式会社
電界効果トランジスタ及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-064318 出願人：株式会社日立製作所

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