薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一 , 福田浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-239543
公開番号（公開出願番号）：特開2010-073881
出願日： 2008年09月18日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ON/OFF比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。【解決手段】基板1上に、少なくとも、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、活性層4-1、ソース電極5-1及びドレイン電極5-2を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層4-1と前記ソース電極5-1及び前記ドレイン電極5-2の少なくとも一方との間に抵抗層4-2を有し、前記活性層がIn,Zn及びGaより成る群から選ばれる少なくとも1種を含む酸化物を含有し、前記抵抗層が少なくともGaを含有する酸化物を含有し、前記抵抗層の酸化物のGa含有率が前記活性層の酸化物のGa含有率より高いことを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層を有し、前記活性層がIn,Zn及びGaより成る群から選ばれる少なくとも1種を含む酸化物を含有し、前記抵抗層が少なくともGaを含有する酸化物を含有し、前記抵抗層の酸化物のGa含有率が前記活性層の酸化物のGa含有率より高い薄膜電界効果型トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , G02F 1/13

FI (3件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , G02F1/13 505

Fターム (59件)：

2H088EA02 , 2H088FA29 , 2H088HA08 , 2H088MA20 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110BB20 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD04 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110GG01 , 5F110GG07 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG51 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (1件)

非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325366 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

審査官引用 (2件)

非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325366 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-046233 出願人：三星モバイルディスプレイ株式會社

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