薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：三好秀和 , 伊藤正和 , 原裕子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-046233
公開番号（公開出願番号）：特開2010-016348
出願日： 2009年02月27日
公開日（公表日）： 2010年01月21日
要約：

【課題】活性層の界面特性が向上できる薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置を提供する。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁層によって前記ゲート電極と絶縁され、酸化物半導体からなる活性層と、前記活性層と連結されるソース電極及びドレイン電極と、前記活性層の上部面及び下部面のうちの少なくとも一面に形成された界面安定化層とを有し、前記界面安定化層は3.0〜8.0eVのバンドギャップを有する酸化物からなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁層によって前記ゲート電極と絶縁され、酸化物半導体からなる活性層と、前記活性層と連結されるソース電極及びドレイン電極と、前記活性層の上部面及び下部面のうちの少なくとも一面に形成された界面安定化層とを有し、前記界面安定化層は3.0〜8.0eVのバンドギャップを有する酸化物からなる薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 , G09F 9/30

FI (9件)：

H01L29/78 618E , H01L29/78 613Z , H01L29/78 618B , H01L29/78 618F , H01L29/78 618G , H01L29/78 627C , H01L29/78 618A , G02F1/1368 , G09F9/30 338

Fターム (50件)：

2H092GA29 , 2H092JA26 , 2H092JA46 , 2H092KA07 , 2H092KA10 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA13 , 2H092MA27 , 2H092NA21 , 5C094AA21 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094FB02 , 5C094FB20 , 5C094JA02 , 5F110AA14 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110NN02 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-079273 出願人：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司
クロスポイントメモリ用薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-273037 出願人：三星電子株式会社
有機電界発光表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-094274 出願人：富士フイルム株式会社

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