特許

J-GLOBAL ID：201003029501534905

抵抗変化素子及びその動作方法

発明者： 辻 幸秀
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-318427
公開番号（公開出願番号）：特開2010-141249
出願日： 2008年12月15日
公開日（公表日）： 2010年06月24日
要約：

【課題】第一電極(ソース電極)・第二電極(ドレイン電極)間の部分的な距離の短縮によって伝導パスを限定化する以外に、伝導パスの形成箇所を制御し得る構造及び動作方法を提供する。【解決手段】本発明の抵抗変化素子は、金属イオンが伝導するイオン伝導体20aと、イオン伝導体20aに金属イオンを供給する第一電極11aと、イオン伝導体20aに電子を供給する第二電極12aとを備え、第一電極11aと第二電極12aとの間の通電によってイオン伝導体20aに伝導パスが形成される。そして、第一電極11aと第二電極12aとの間のイオン伝導体20a中に局所的に電子を供給する第三電極13aを備えたことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属イオンが伝導するイオン伝導体と、このイオン伝導体に前記金属イオンを供給する第一電極と、前記イオン伝導体に電子を供給する第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間の前記イオン伝導体中に局所的に電子を供給する第三電極と、 を備え、 前記第三電極の周縁の少なくとも一部は、前記第一電極と前記第二電極との間の前記イオン伝導体を横断するように位置する、 抵抗変化素子。

IPC (3件)：

H01L 49/00 ,  H01L 27/10 ,  H01L 45/00

FI (3件)：

H01L49/00 Z ,  H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z

Fターム (16件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA11 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (2件)

• スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路、およびメモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-138213   出願人：日本電気株式会社
• スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-204971   出願人：日本電気株式会社