特許

J-GLOBAL ID：201003031539389636

光陰極半導体素子

発明者： 西谷 智博
出願人/特許権者： 独立行政法人理化学研究所
代理人 (2件)： 石井 裕一郎 ,  木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-278867
公開番号（公開出願番号）：特開2010-108722
出願日： 2008年10月29日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：

【課題】超格子構造を利用して電子のエネルギー状態を単色化させ、量子効率を向上させることで、所望の超高輝度性能を達成するのに好適な光陰極半導体素子を提供する。【解決手段】光陰極半導体素子101は、第1半導体からなる井戸層103と、当該第1半導体よりバンドギャップが大きい第2半導体からなる障壁層104と、が複数交互に積層した超格子構造102を備え、当該井戸層103および当該障壁層104のそれぞれの厚さは、当該超格子構造102の電子のエネルギー状態において伝導帯に生ずるミニバンドの下限と、価電子帯に生ずるミニバンドの上限と、の間のバンドギャップが所望の大きさとなる厚さを上限とし、当該伝導帯に生ずるミニバンドのバンド幅と、当該ミニバンド内のエネルギー状態密度と、が所望の大きさとなる厚さを下限とするように構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1半導体からなる井戸層と、 当該第1半導体よりバンドギャップが大きい第2半導体からなる障壁層と、 が複数交互に積層した超格子構造を備え、 当該井戸層および当該障壁層のそれぞれの厚さは、 当該超格子構造の電子のエネルギー状態において、伝導帯に生ずるミニバンドの下限と、価電子帯に生ずるミニバンドの上限と、の間のバンドギャップが所望の大きさとなる厚さを上限とし、 当該伝導帯に生ずるミニバンドのバンド幅が所望の大きさとなる厚さを下限とする ことを特徴とする光陰極半導体素子。

IPC (2件)：

H01J 1/35 ,  H01J 1/34

FI (2件)：

H01J1/35 C ,  H01J1/34 C

Fターム (3件)：

5C235AA20 ,  5C235CC01 ,  5C235CC05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許第3154569号公報
  
• 特許第2606131号公報
  

審査官引用 (3件)

• 低速電子線源
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-025197   出願人：大同特殊鋼株式会社
• 特許第2612572号
  
• スピン偏極電子発生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-084303   出願人：国立大学法人名古屋大学