特許
J-GLOBAL ID：200903004658625412
スピン偏極電子発生装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池田 治幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-084303
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258119
出願日： 2006年03月24日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】従来のものより2桁以上高い電流密度のスピン偏極電子線を生成できるスピン偏極電子発生装置を提供する。【解決手段】スピン偏極電子発生装置10において、励起光入射装置46は、スピン偏極電子発生素子22の半導体基板62側から励起光を入射し超格子半導体光電層66に収束させるものであることから、直列的に配設された貫通孔を有するアノード電極、ソレノイドレンズ、偏向電磁石(スピンマニピュレータ)を順次通してスピン偏極電子発生素子の表面に励起光を収束させる従来の場合に比較して、励起光入射装置46の収束レンズ54とスピン偏極電子発生素子22との間の焦点距離fを少なくとも1/10程度に大幅に短縮できるので、スピン偏極電子発生素子22に収束される励起光Lのスポット径を格段に小さくすることができ、高い電流密度のスピン偏極電子線Bを得ることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の一面において結晶成長させられた格子定数が互いに相違し且つ互いに隣接する少なくとも一対の第1半導体層および第2半導体層が成長させられることにより構成されて価電子帯にバンドスプリッティングを有する半導体光電層を備えたスピン偏極電子発生素子と、該スピン偏極電子発生素子の半導体光電層に励起光を入射させる励起光入射装置とを含み、該半導体光電層に励起光が収束されることによって該半導体光電層からスピン方向が偏在しているスピン偏極電子を発生させる形式のスピン偏極電子発生装置であって、
前記励起光入射装置は、前記スピン偏極電子発生素子の基板側から前記半導体光電層に励起光を収束させるものであることを特徴とするスピン偏極電子発生装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
-
偏極電子線発生素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-257983
出願人：大同特殊鋼株式会社
審査官引用 (8件)
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