特許

J-GLOBAL ID：200903067661753997

窒化ガリウム結晶、ホモエピタキシャル窒化ガリウムを基材とするデバイス、及びその製造方法

発明者： デヴリン,マーク・フィリップ ,  パーク,ドン-シル ,  ルボーフ,スティーブン・フランシス ,  ローランド,ラリー・バートン ,  ナラング,クリスティ・ジーン ,  ホン,ヒュイコン ,  サンドヴィック,ピーター・ミカ
出願人/特許権者： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
代理人 (4件)： 松本 研一 ,  小倉 博 ,  伊藤 信和 ,  黒川 俊久
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-565702
公開番号（公開出願番号）：特表2006-513122
出願日： 2003年12月22日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：

約104/cm2未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが1019cm-3未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された1以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード(LED)及びレーザーダイオード(LD)用途のような照明用途、並びにGaNを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約104/cm2未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが1019cm-3未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に1以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイスも提供される。

請求項（抜粋）：

2mm以上の最大寸法、104cm-2未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが1019cm-3未満のGaN単結晶。

IPC (19件)：

C30B 29/38 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/737 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/207 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  C30B 7/10 ,  H01L 33/00 ,  H01L 31/10 ,  H01S 5/343 ,  H01L 29/80

FI (17件)：

C30B29/38 D ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 B ,  H01L29/72 H ,  H01L29/48 D ,  H01L29/91 F ,  H01L29/74 F ,  H01L29/06 601D ,  H01L29/06 601W ,  H01L29/207 ,  H01L29/78 652T ,  C30B7/10 ,  H01L33/00 C ,  H01L31/10 A ,  H01S5/343 610 ,  H01L29/80 V ,  H01L29/78 301B

Fターム (61件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB04 ,  4G077AB08 ,  4G077CB08 ,  4G077EB06 ,  4G077EH09 ,  4G077EJ09 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077KA01 ,  4G077KA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  5F003BA92 ,  5F003BE90 ,  5F003BF06 ,  5F003BH08 ,  5F003BM03 ,  5F005AA03 ,  5F005AB03 ,  5F005AC02 ,  5F005BA01 ,  5F005GA01 ,  5F005GA02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA20 ,  5F049PA01 ,  5F049QA02 ,  5F049SS04 ,  5F049WA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS02 ,  5F140AA00 ,  5F140BC12 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BH21 ,  5F140BJ26 ,  5F173AA08 ,  5F173AH22 ,  5F173AP04 ,  5F173AR82

引用特許：

出願人引用 (12件)

• 米国特許第5637531号明細書
  
• 米国特許第5770887号明細書
  
• 米国特許第5810925号明細書
  
• 米国特許第6447604号明細書
  
• 米国特許第6294440号明細書
  
• 米国特許第6273948号明細書
  
• 米国特許第6596079号明細書
  
• 米国特許公開第2002/0189531A1号明細書
  
• 米国特許公開第2002/0192507A1号明細書
  
• 国際公開第WO03/035945号パンフレット
  
• フランス特許第FR2796657号明細書
  
• 米国特許第6398867号明細書
  

審査官引用 (7件)

• 特許第6398867号
  
• 特開平1-230492
  
• 水熱合成方法及び水熱合成用装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-274449   出願人：日本碍子株式会社
• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-227283   出願人：株式会社東芝
• 単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-207783   出願人：住友電気工業株式会社
• 窒化物半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-141302   出願人：松下電器産業株式会社
• エレベーターのカウンターウェイト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-040221   出願人：オーチスエレベータカンパニー

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Near defect free GaN substrates
• Hydrothermal growth of large sound crystals of zinc oxide