特許
J-GLOBAL ID：201003093130479795
表面を含むダイヤモンド電子デバイス及びそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
特許業務法人浅村特許事務所
, 浅村 皓
, 浅村 肇
, 浅野 裕一郎
, 安藤 克則
, 上村 陽一郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-546061
公開番号（公開出願番号）：特表2010-517262
出願日： 2008年01月22日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：
本発明は、単結晶ダイヤモンドの平面によって形成された機能性表面を含むダイヤモンド電子デバイスであって、単結晶ダイヤモンドの平面は、Rqが10nm未満であり、以下の特性:(a)表面が、合成による形成後に機械的処理されていないこと;(b)表面が、エッチングされた表面であること;(c)表面を破壊するダイヤモンドの転位の密度が、0.014cm2を超える面積に対して測定された場合に400cm-2未満であること;(d)表面が、1nm未満のRqを有すること;(e)表面が、その真下に電荷担体の層を有する領域であって、該表面の領域が、水素末端{100}ダイヤモンド表面領域のような導電性と通常呼ばれる領域を有すること;(f)表面が、その真下に電荷担体の層を有さない領域であって、酸素末端{100}ダイヤモンド表面のような絶縁性と通常呼ばれる領域を有すること;及び(g)表面が、1つ又は複数の金属被覆領域の下のダイヤモンド表面に電気的接触を与える1つ又は複数の金属被覆領域を有することのうちの少なくとも1つを有するダイヤモンド電子デバイスに関する。
請求項（抜粋）：
単結晶ダイヤモンドの平面によって形成された機能性表面を含むダイヤモンド電子デバイスであって、単結晶ダイヤモンドの平面は、Rqが約10nm未満であり、以下の特性:
(a)表面が、合成による形成後に機械的処理されていないこと;
(b)表面が、エッチングされた表面であること;
(c)表面を破壊するダイヤモンドの転位の密度が、0.014cm2を超える面積に対して測定された場合に400cm-2未満であること;
(d)表面が、1nm未満のRqを有すること;
(e)表面が、その真下に電荷担体の層を有する領域であって、水素末端{100}ダイヤモンド表面領域のような導電性と通常呼ばれる領域を有すること;
(f)表面が、その真下に電荷担体の層を有さない領域であって、酸素末端{100}ダイヤモンド表面のような絶縁性と通常呼ばれる領域を有すること;及び
(g)表面が、1つ又は複数の金属被覆領域の下のダイヤモンド表面に電気的接触を与える1つ又は複数の金属被覆領域を有すること
のうちの少なくとも1つを有するダイヤモンド電子デバイス。
IPC (6件)：
H01L 29/16
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/47
, H01L 29/872
, C23C 16/27
H01L29/16
, H01L29/80 B
, H01L29/48 D
, C23C16/27
4K030BA28
, 4K030BB02
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA04
, 4K030FA10
, 4K030JA01
, 4K030LA11
, 4M104AA10
, 4M104FF31
, 4M104GG03
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GL02
, 5F102GL20
, 5F102GM02
, 5F102GV05
, 5F102HC01
