特許

J-GLOBAL ID：201003032355641991

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 古川 拓也 ,  加藤 禎宏 ,  佐藤 義浩 ,  岩見 正之
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (2件)： 酒井 宏明 ,  田代 至男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-087354
公開番号（公開出願番号）：特開2010-239034
出願日： 2009年03月31日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：

【課題】電子移動度を向上させつつ結晶中のカーボン濃度を所望の値にすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板が配置されたチャンバ内にガス状の窒化物系化合物半導体材料としてトリメチルガリウム(TMGa)とアンモニア(NH3)とを導入してバッファ層13を形成する際、プロパンなどのカーボンを含む炭化水素または有機化合物の材料ガスを添加剤として導入することで、バッファ層13のカーボン濃度を制御する。【選択図】図6-1

請求項（抜粋）：

Si基板上に窒化物系化合物半導体層を形成する際、分子式にカーボン(C)を2以上含む材料ガスを添加剤として導入することで、前記窒化物系化合物半導体層のカーボン濃度を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  C23C 16/34

FI (3件)：

H01L21/205 ,  H01L29/80 H ,  C23C16/34

Fターム (47件)：

4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-099392   出願人：古河電気工業株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-030341   出願人：古河電気工業株式会社