特許
J-GLOBAL ID：200903060293931427

半導体素子

発明者：
佐藤 義浩

佐藤 義浩 について

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加藤 禎宏

加藤 禎宏 について

, 
吉田 清輝

吉田 清輝 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-030341
公開番号（公開出願番号）：特開2007-251144
出願日： 2007年02月09日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】電流コラプスを悪化させることなくバッファ層を高抵抗化し、バッファ層中に発生するリーク電流を低減させること。【解決手段】HEMT1は、基板2上に、それぞれGaN系化合物半導体からなる低温バッファ層3、バッファ層4、電子走行層5および電子供給層6を、この順に積層して備える。バッファ層4は、炭素が添加され、この添加される炭素濃度は、この炭素濃度に対して電流コラプスが急激に変化する濃度以下であり、かつこの炭素濃度に対してHEMT1の耐圧が急激に変化する濃度以上とされる。また、電子走行層5の層厚は、この層厚に対して電流コラプスが急激に変化する厚さ以上であり、かつこの層厚に対してHEMT1の耐圧が急激に変化する厚さ以下とされる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上にバッファ層を介して積層された化合物半導体層を備える半導体素子において、 前記バッファ層は、炭素が添加され、この添加される炭素濃度は、該炭素濃度に対して電流コラプスが急激に変化する濃度以下であり、かつ前記炭素濃度に対して当該半導体素子の耐圧が急激に変化する濃度以上であることを特徴とする半導体素子。
IPC (7件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786
FI (7件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/50 J ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618G
Fターム (86件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD16 ,  4M104DD34 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104GG12 ,  5F102FA00 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK00 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA12 ,  5F110CC01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE05 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F140AA24 ,  5F140AA25 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BA17 ,  5F140BB15 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BC17 ,  5F140BD11 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF08 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ18 ,  5F140CE02
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (7件)
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