特許

J-GLOBAL ID：201003032482878720

半導体装置

発明者： 丸 亀 孝 生 ,  石 川 瑞 恵 ,  井 口 智 明 ,  杉 山 英 行 ,  斉 藤 好 昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (4件)： 吉武 賢次 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-240883
公開番号（公開出願番号）：特開2010-073960
出願日： 2008年09月19日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：

【課題】高スピン偏極電流を効率的に注入することを可能にする。【解決手段】半導体基板2と、半導体基板上に設けられ、第1ホイスラー合金層24と、第1ホイスラー合金層上に設けられた第1非磁性層26と、を含む強磁性積層膜20と、を備え、強磁性積層膜の磁気抵抗変化比が、前記強磁性積層膜に印加されるバイアス電圧に応じて振動する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板上に設けられ、第1ホイスラー合金層と、前記第1ホイスラー合金層上に設けられた第1非磁性層と、を含む強磁性積層膜と、 を備え、 前記強磁性積層膜の磁気抵抗変化比が、前記強磁性積層膜に印加されるバイアス電圧に応じて振動することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/82 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/30

FI (4件)：

H01L29/82 Z ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01F10/30

Fターム (17件)：

5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA30 ,  5E049CB01 ,  5E049DB04 ,  5F092AA20 ,  5F092AB06 ,  5F092AC24 ,  5F092AC25 ,  5F092BD05 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD15 ,  5F092BE02 ,  5F092BE03 ,  5F092BE21 ,  5F092BE27

引用特許：

審査官引用 (2件)

• スピンMOSFET
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-244656   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-044176   出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Spin-Dependent Resonant Tunneling through Quantum-Well States in Magnetic Metallic Thin Films