スピンMOSFET

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-244656
公開番号（公開出願番号）：特開2008-066596
出願日： 2006年09月08日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：

【課題】低電流密度でスピン反転し、かつスピン反転による出力特性が大きなスピンMOSFETを提供することを可能にする。【解決手段】半導体基板2と、半導体基板上に離間して設けられるソース・ドレインの一方となる磁化の向きが固着された第1強磁性層を含む第1磁性膜6と、ソース・ドレインの他方となる磁化の向きが可変の磁化自由層81およびこの磁化自由層上に設けられたトンネル絶縁層ならびにこのトンネル絶縁層上に設けられ磁化の向きが固着された磁化固着層を有する第2磁性膜8と、第1および第2磁性膜の間の半導体基板上に少なくとも設けられたゲート絶縁膜10と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極12と、備えている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に離間して設けられるソース・ドレインの一方となる磁化の向きが固着された第1強磁性層を含む第1磁性膜と、前記ソース・ドレインの他方となる磁化の向きが可変の磁化自由層およびこの磁化自由層上に設けられたトンネル絶縁体からなる第1非磁性層ならびにこの第1非磁性層上に設けられ磁化の向きが固着された磁化固着層を有する第2磁性膜と、前記第1および第2磁性膜の間の前記半導体基板上に少なくとも設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、備えたことを特徴とするスピンMOSFET。

IPC (5件)：

H01L 29/82 , H01L 29/78 , H01F 10/32 , H01F 10/16 , H01F 10/28

FI (6件)：

H01L29/82 Z , H01L29/78 301J , H01L29/78 301S , H01F10/32 , H01F10/16 , H01F10/28

Fターム (39件)：

5E049AA04 , 5E049BA25 , 5E049DB04 , 5F092AA02 , 5F092AA04 , 5F092AC24 , 5F092AD25 , 5F092BD03 , 5F092BD04 , 5F092BD05 , 5F092BD20 , 5F092BD23 , 5F140AA04 , 5F140AC11 , 5F140AC16 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BD11 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF03 , 5F140BF04 , 5F140BG28 , 5F140BH02 , 5F140BH07 , 5F140BH27 , 5F140BH30 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ16 , 5F140BJ30 , 5F140BK09 , 5F140BK16 , 5F140BK17 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140CB01 , 5F140CE00

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,256,223号明細書

審査官引用 (4件)

スピントランジスタ、プログラマブル論理回路および磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-156406 出願人：株式会社東芝
スピン注入デバイス及びこれを用いた磁気装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-410966 出願人：独立行政法人科学技術振興機構
特許第619300号

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引用文献：

審査官引用 (5件)

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