特許
J-GLOBAL ID：201003032503573682

半導体ウェーハ及び半導体素子及びその製造方法

発明者：
佐藤 憲

佐藤 憲 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-069149
公開番号（公開出願番号）：特開2010-225703
出願日： 2009年03月19日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：
【課題】基板上に化合物半導体層を厚く形成することができ、バッファ領域内に生じる寄生容量を低減することができる半導体ウェーハ、半導体素子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】バッファ領域3は、第1の層6と第2の層7とが交互に複数配置された複数の多層構造バッファ領域5、5 ́と、複数の多層構造バッファ領域5、5 ́の相互間に配置され、第1の層6及び第2の層7よりも厚く形成され、且つ第1の層6を構成する材料の格子定数と第2の層7の格子定数との間の格子定数を有する化合物半導体から成る。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板の一方の主面上に配置され且つ化合物半導体で形成されたバッファ領域と、 バッファ領域の上に配置され且つ化合物半導体で形成された主半導体領域とを有する半導体ウェーハであって、 前記バッファ領域は、第1の層と第2の層とが交互に複数配置された複数の多層構造バッファ領域と、該複数の多層構造バッファ領域の相互間に配置された単層構造バッファ領域とから成り、 前記第1の層は、前記基板を構成する材料の格子定数よりも小さい格子定数を有する化合物半導体から成り、 前記第2の層は、前記基板を構成する材料の格子定数と前記第1の層の格子定数との間の格子定数を有する化合物半導体から成り、 前記単層構造バッファ領域は、前記第1及び第2の層よりも厚く形成され、且つ前記第1の層を構成する材料の格子定数と前記第2の層の格子定数との間の格子定数を有する化合物半導体から成ることを特徴とする半導体ウェーハ。
IPC (6件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/32 ,  H01L 33/04
FI (4件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 186 ,  H01L33/00 110
Fターム (28件)：
5F041AA02 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GL09 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (6件)
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