特許
J-GLOBAL ID：201003004279278919

中間層構造を有する厚い窒化物半導体構造、及び厚い窒化物半導体構造を製造する方法

発明者：
アダム ウィリアム サクスラー

アダム ウィリアム サクスラー について

, 
アルバート アウグストゥス バーク ジュニア

アルバート アウグストゥス バーク ジュニア について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-552706
公開番号（公開出願番号）：特表2010-521064
出願日： 2008年03月04日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：
半導体構造は、基板、前記基板上の核生成層、前記核生成層上の組成傾斜層、及び前記組成傾斜層上の窒化物半導体材料の層を含む。前記窒化物半導体材料の層は、前記窒化物半導体材料の層の中に間隔をおいて配置された複数の実質的に緩和された窒化物中間層を含む。前記実質的に緩和された窒化物中間層は、アルミニウム及びガリウムを含み、n型ドーパントで導電的にドープされ、また前記複数の窒化物中間層を含む前記窒化物半導体材料の層は、少なくとも約2.0μmの全厚を有する。
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上の核生成層と、 前記核生成層上の組成傾斜層と、 前記組成傾斜層上の窒化物半導体材料の層と、 前記窒化物半導体材料の層の中に間隔をおいて配置された複数の実質的に緩和された窒化物中間層であって、該実質的に緩和された窒化物中間層はアルミニウム及びガリウムを含み、n型ドーパントで導電的にドープされる複数の実質的に緩和された窒化物中間層と を備える半導体構造であって、 前記複数の窒化物中間層を含む前記窒化物半導体材料の層は、少なくとも約2.0μmの全厚を有することを特徴とする半導体構造。
IPC (7件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/455 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/06 ,  C30B 25/18
FI (7件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/06 ,  C30B25/18
Fターム (42件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077EE05 ,  4G077EE07 ,  4G077EF02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC14 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4G077TK10 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045BB11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA58 ,  5F045DA69
引用特許：
審査官引用 (8件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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