特許
J-GLOBAL ID：200903029785202531
半導体ウエーハ及び半導体素子及び製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-038264
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205117
出願日： 2007年02月19日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
【課題】 シリコン基板上に窒化物半導体領域を設けると、半導体ウエーハに反りが発生する。【解決手段】 シリコン基板2の上に窒化物半導体から成るバッファ領域3を介して主半導体領域4を設ける。前記バッファ領域4を、複数の多層構造バッファ領域5,5′と、該複数の多層構造バッファ領域5,5′の相互間に配置された第2の単層構造バッファ領域8とで構成する。複数の多層構造バッファ領域5,5′のそれぞれを、交互に配置された複数の第1及び第2の層から成るサブ多層構造バッファ領域と第2の単層構造バッファ領域8よりも薄い第1の単層構造バッファ領域とで構成する。第1の層をアルミニウムを第1の割合で含む窒化物半導体で形成する。第2の層、第1の単層構造バッファ領域及び第2の単層構造バッファ領域8のアルミニウムの割合(ゼロを含む)を第1の割合よりも小さくする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板(2)と、前記基板(2)の一方の主面上に配置され且つ化合物半導体で形成されたバッファ領域(3又は3a)と、前記バッファ領域(3又は3a)の上に配置され且つ化合物半導体で形成された主半導体領域(4)とを有する半導体ウエーハであって、
前記バッファ領域は、サブ多層構造バッファ領域(6)と第1の単層構造バッファ領域(7)との交互積層体からそれぞれ成る複数の多層構造バッファ領域(5,5′、又は5,5′、5′′)と、該複数の多層構造バッファ領域(5,5′、又は5,5′、5′′)の相互間に配置された第2の単層構造バッファ領域(8、又は8、8′)とから成り、
前記サブ多層構造バッファ領域(6)は第1及び第2の層(61、62)の交互積層体であり、
前記第1の層(61)は前記基板(2)を構成する材料の格子定数よりも小さい格子定数を有する化合物半導体から成り、
前記第2の層(62)は前記第1の層(61)の格子定数と前記基板(2)の格子定数との間の格子定数を有する化合物半導体から成り且つ第1の厚みを有し、
前記第1の単層構造バッファ領域(7)は前記第1の層(61)の格子定数と前記基板(2)の格子定数との間の格子定数を有する化合物半導体から成り且つ前記第2の層(62)の前記第1の厚みよりも大きい第2の厚みを有し、
前記第2の単層構造バッファ領域(8、又は8、8′)は、前記第1の層(61)の格子定数と前記基板(2)の格子定数との間の格子定数を有する化合物半導体から成り且つ前記第1の単層構造バッファ領域(7)の前記第2の厚みよりも大きい第3の厚みを有していることを特徴とする半導体ウエーハ。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
H01L21/20
, H01L21/205
, H01L29/80 H
5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AC07
, 5F045AC12
, 5F045AF02
, 5F045AF03
, 5F045AF09
, 5F045BB12
, 5F045CA07
, 5F045CA09
, 5F045DA53
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
, 5F102HC01
, 5F152LL05
, 5F152LN05
, 5F152LN15
, 5F152MM02
, 5F152MM05
, 5F152MM10
, 5F152MM18
, 5F152NN03
, 5F152NN05
, 5F152NN13
, 5F152NN27
, 5F152NP09
, 5F152NQ09
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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