特許

J-GLOBAL ID：201003032777419876

基板処理方法

発明者： 櫛引 理人 ,  西村 栄一
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (2件)： 別役 重尚 ,  村松 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-061138
公開番号（公開出願番号）：特開2010-219105
出願日： 2009年03月13日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：

【課題】半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口パターンを形成する際に、マスク層のエッチング耐性を増強させ、処理対象層の加工の自由度を向上させることができる基板処理方法を提供する。【解決手段】処理対象基板であるウエハWのマスク層としての、例えばフォトレジスト膜53からなる有機膜を無機化する無機化ステップは、フォトレジスト膜53の表面に1価のアミノシランを吸着させる吸着ステップと、吸着したアミノシランを、酸素をプラズマ励起した酸素ラジカルを用いて酸化し、これによってフォトレジスト膜53をSi酸化膜に改質する酸化ステップを有する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

処理対象層と、マスク層としての有機膜を有する基板を処理する基板処理方法であって、前記有機膜を無機化する無機化ステップを有することを特徴とする基板処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027

FI (7件)：

H01L21/302 105A ,  H01L21/31 C ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 P ,  H01L21/302 101B ,  G03F7/40 502 ,  H01L21/30 570

Fターム (60件)：

2H096AA25 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  5F004AA04 ,  5F004AA16 ,  5F004BA09 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB25 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004EA04 ,  5F004EA06 ,  5F004EA22 ,  5F004FA08 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF08 ,  5F045BB17 ,  5F045CB06 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EH12 ,  5F045EH18 ,  5F045EK06 ,  5F045HA13 ,  5F046LA18 ,  5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BE10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BG10 ,  5F058BH12 ,  5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• エッチング方法及び配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-105725   出願人：三洋電機株式会社
• 微細パターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-149272   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 絶縁層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-094789   出願人：三井造船株式会社