特許
J-GLOBAL ID：201003033884110345

露光方法及びデバイス製造方法

発明者：
上原 祐作

上原 祐作 について


出願人/特許権者：
株式会社ニコン

株式会社ニコン について


代理人 (1件)： 大森 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-244342
公開番号（公開出願番号）：特開2010-080511
出願日： 2008年09月24日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：
【課題】転写対象のパターンの密度分布に応じて結像特性を高精度に補正する。【解決手段】照明光でレチクルRのパターン及び投影光学系を介してウエハを露光する露光方法において、そのパターンを照明領域21RXと同じ大きさの領域を単位として複数の部分領域に分け、各部分領域のパターン密度に対応する情報として各部分領域を透過する照射量を計測して、パターン密度の分布情報を計測する工程と、その分布情報からレチクル透過エリア31efの大きさを求め、この大きさに応じて露光条件を設定する工程と、その設定された露光条件に基づいてウエハを露光する工程と、を含む。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
露光光でパターンを照明し、前記露光光で前記パターン及び投影光学系を介して物体を露光する露光方法において、 前記パターンを複数の領域に分け、各領域のパターン密度情報を計測し、前記パターンの密度分布情報を計測する工程と、 前記パターンの密度分布情報に応じて露光条件を設定する工程と、 前記設定された露光条件に基づいて前記露光光で前記パターン及び前記投影光学系を介して物体を露光する工程と、 を含むことを特徴とする露光方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20
FI (2件)：
H01L21/30 516A ,  G03F7/20 521
Fターム (12件)：
5F046AA28 ,  5F046BA03 ,  5F046CB12 ,  5F046CB17 ,  5F046CB25 ,  5F046DA01 ,  5F046DA02 ,  5F046DA12 ,  5F046DA26 ,  5F046DB01 ,  5F046DC12 ,  5F046DD03
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特開平4-134813号公報
審査官引用 (3件)
  • 露光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-110477   出願人：キヤノン株式会社
  • 露光方法及び露光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-004705   出願人：松下電子工業株式会社
  • 投影露光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-134947   出願人：株式会社ニコン

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