特許
J-GLOBAL ID：201003034655319105
半導体ウェーハの評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-302294
公開番号（公開出願番号）：特開2010-129748
出願日： 2008年11月27日
公開日（公表日）： 2010年06月10日
要約：
【課題】近年着目されている微少な凸形状の結晶欠陥、特にPIDと異物を短時間で高精度且つ高感度に区別して評価することのできる半導体ウェーハの評価方法を提供する。【解決手段】2種類の入射角を有する入射系と、2種類の検出角を有する検出系とを備えたレーザー表面検査装置を用いて半導体ウェーハ表面のLPDを測定し、該測定されたLPDを前記半導体ウェーハ表面の結晶欠陥と前記半導体ウェーハ表面上の異物とに分類する際に、従来の低角度入射・低角度検出と低角度入射・高角度検出、または、高角度入射・低角度検出と高角度入射・高角度検出の検出サイズ比率を利用した判定に加え、入射系と検出系が異なる低角度入射・低角度検出と高角度入射・高角度検出の比率も考慮して欠陥の分類を行う。また、各測定モードでの検出感度の設定を所定の一定比率とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
2種類の入射角を有する入射系と、2種類の検出角を有する検出系とを備えたレーザー表面検査装置を用いて半導体ウェーハ表面のLPDを測定し、該測定されたLPDを前記半導体ウェーハ表面の結晶欠陥と前記半導体ウェーハ表面上の異物とに分類する方法であって、
前記レーザー表面検査装置の前記2種類の入射系のうちの高角度側を高角度入射、もう一方を低角度入射とし、前記2種類の検出系のうちの高角度側を高角度検出、もう一方を低角度検出とし、
前記高角度入射・前記低角度検出(DWN)、前記高角度入射・前記高角度検出(DNN)、前記低角度入射・前記低角度検出(DWO)、前記低角度入射・前記高角度検出(DNO)の4通りの測定モードで同一半導体ウェーハの表面のLPDを測定し、
該LPDの測定の際に、前記4通りの各測定モードにおける検出下限値を所定の比率で設定した後に前記LPDの測定を行い、
前記各々の測定モード毎で検出されたLPDが結晶欠陥か異物かを下記(1)〜(3)の比率を用いて評価することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法。
(1)DWNモードでのLPDサイズとDNNモードでのLPDサイズの比率
(2)DWOモードでのLPDサイズとDNOモードでのLPDサイズの比率
(3)DWOモードでのLPDサイズとDNNモードでのLPDサイズの比率
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/66 J
, H01L21/66 N
4M106AA01
, 4M106BA05
, 4M106CA43
, 4M106CB19
, 4M106DB02
, 4M106DB08
, 4M106DB19
出願人引用 (7件)
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ウエーハの評価方法及び装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-369802
出願人：信越半導体株式会社, レーザーテック株式会社
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不良検出システムの改良
公報種別：公表公報
出願番号：特願2002-579784
出願人：ケーエルエー-テンカーコーポレイション
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半導体ウェ-ハの品質評価方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-337618
出願人：住友金属工業株式会社
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審査官引用 (5件)
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