特許
J-GLOBAL ID:200903069819940113
生体および化学試料検査装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
作田 康夫
, 井上 学
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-012596
公開番号(公開出願番号):特開2005-207797
出願日: 2004年01月21日
公開日(公表日): 2005年08月04日
要約:
【課題】遺伝子など生体物質等の検査を安価、簡便に行なう小型、高感度、低コストの検査装置に好適なワイヤレスセンサチップを提供する。【解決手段】センサチップをSOI基板100上に形成し、pMOSトランジスタが形成されるn型半導体層とnMOSトランジスタが形成されるp型半導体層とはpn接合により分離する。このため、最外周(チップ端で溶液に接する部分)のp型半導体層をフローティング、その内側のn型半導体層にチップ内の最高電位を与え、p型半導体層にはセンサチップの最低電位を与える。また、酸化膜層を通じての陽イオンの侵入を抑制するために、イオン非透過性絶縁膜125によりチップを覆う。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
SOI基板上に形成される半導体集積回路装置であって、
上記SOI基板上に設けられ、複数の第1導電型のMOSトランジスタが形成された第2導電型の第1半導体領域と、
上記SOI基板上に設けられ、複数の第2導電型のMOSトランジスタが形成された第1導電型の第2半導体領域と、
上記第1半導体領域及び上記第2半導体領域上に設けられた複数の配線及び上記配線同士または上記配線と上記SOI基板とを電気的に分離するための酸化膜層を有し、
上記酸化膜層の側壁はイオン非透過性絶縁膜により覆われている半導体集積回路装置。
IPC (9件):
G01N27/414
, H01L21/768
, H01L21/822
, H01L21/8238
, H01L27/04
, H01L27/08
, H01L27/092
, H01L27/12
, H01L29/786
FI (9件):
G01N27/30 301U
, H01L27/08 331E
, H01L27/12 Z
, G01N27/30 301K
, H01L29/78 619A
, H01L29/78 625
, H01L21/90 K
, H01L27/08 321F
, H01L27/04 A
Fターム (93件):
5F033GG03
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH19
, 5F033HH33
, 5F033JJ08
, 5F033JJ19
, 5F033JJ33
, 5F033KK08
, 5F033KK19
, 5F033KK33
, 5F033MM05
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033QQ37
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR14
, 5F033XX28
, 5F038AV06
, 5F038AZ04
, 5F038AZ07
, 5F038AZ08
, 5F038BH09
, 5F038CA05
, 5F038CD16
, 5F038DF01
, 5F038DF03
, 5F038DF08
, 5F038EZ06
, 5F038EZ12
, 5F038EZ13
, 5F038EZ19
, 5F038EZ20
, 5F048AA07
, 5F048AB10
, 5F048AC03
, 5F048BA16
, 5F048BB05
, 5F048BB08
, 5F048BB14
, 5F048BB16
, 5F048BC06
, 5F048BD04
, 5F048BE03
, 5F048BE09
, 5F048BF02
, 5F048BF12
, 5F048BG13
, 5F048BH03
, 5F048BH05
, 5F110AA24
, 5F110BB04
, 5F110BB09
, 5F110CC02
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE05
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE38
, 5F110EE42
, 5F110FF02
, 5F110FF23
, 5F110GG02
, 5F110GG12
, 5F110GG24
, 5F110GG32
, 5F110GG34
, 5F110GG52
, 5F110HJ01
, 5F110HJ13
, 5F110HJ23
, 5F110HL01
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL12
, 5F110HL22
, 5F110HM15
, 5F110NN04
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN25
, 5F110NN33
, 5F110NN62
, 5F110NN63
, 5F110NN66
, 5F110NN71
, 5F110NN78
引用特許:
出願人引用 (3件)
審査官引用 (9件)
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-328123
出願人:株式会社日立製作所
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特開平3-122558
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半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-175140
出願人:新日本製鐵株式会社
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相補型MOS半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-243211
出願人:セイコーインスツルメンツ株式会社
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タンパク質センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-013286
出願人:日本電気株式会社
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特開平3-249557
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特開昭63-195557
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特開昭62-024659
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集積化センサ素子及びこれを用いた計測システム
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-195465
出願人:株式会社山武
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