特許
J-GLOBAL ID：201003036010948240
パターニング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小林 和憲
, 飯嶋 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-270871
公開番号（公開出願番号）：特開2010-103155
出願日： 2008年10月21日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：
【課題】基板の表裏に片面ずつリソグラフィパターンをパターニングするときに、基板の表裏両面で相互に正確に位置合わせされたリソグラフィパターンを設けるパターニング方法を提供する。【解決手段】まず、ガラス基板21の端に、ガラス基板21の表面21a,21bに対して垂直な切り欠き22を設ける。次に、アライメントマーク33,34が切り欠き22に合致するように第1マスク31をガラス基板21に位置合わせして配置し、ガラス基板21のオモテ面21aに第1マスクパターン32に応じたリソグラフィパターンをパターニングする。そして、ガラス基板21を裏返し、ウラ面21bを上方に露呈させ、アライメントマーク43,44が切り欠き22に合致するように第2マスク32をガラス基板21に位置合わせして配置し、ガラス基板21のウラ面21bに第2マスクパターン42に応じたリソグラフィパターンをパターニングする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板の表裏両面に、相互に位置合わせされたリソグラフィパターンをパターニングするパターニング方法において、
少なくとも2方向に直線状のエッジを有するように、前記基板の表面に対して垂直な切り欠きを前記基板に複数形成する切り欠き形成ステップと、
マスクに設けられたアライメントマークを前記切り欠きに位置合わせして、前記基板の一方の表面にリソグラフィパターンを設けるとともに、マスクに設けられたアライメントマークを前記基板の他方の表面側から前記切り欠きに位置合わせし、前記基板の他方の表面にリソグラフィパターンを設けるリソグラフィステップと、
を備えることを特徴とするパターニング方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/30 506N
, H01L21/30 506A
, G03F9/00 A
2H097AA01
, 2H097DB20
, 2H097GA01
, 2H097GA31
, 2H097GA45
, 2H097KA03
, 2H097KA12
, 2H097KA13
, 2H097KA15
, 2H097KA20
, 2H097KA23
, 2H097KA29
, 2H097LA10
, 2H097LA20
, 5F046BA01
, 5F046BA02
, 5F046EA12
, 5F046FC09
