特許
J-GLOBAL ID：201003036257395384

導電体の製造方法

発明者：
後藤 拓也

後藤 拓也 について

, 
上等 和良

上等 和良 について


出願人/特許権者：
三菱瓦斯化学株式会社

三菱瓦斯化学株式会社 について


代理人 (2件)： 青木 博昭 ,  森村 靖男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-293397
公開番号（公開出願番号）：特開2010-123280
出願日： 2008年11月17日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：
【課題】酸化黒鉛粒子を還元する際の加熱処理温度が低くても、導電体の製造に要する時間を大幅に短縮できる導電体の製造方法を提供すること。【解決手段】導電膜を備えた導電体の製造方法において、酸化黒鉛粒子及び還元剤を含有する酸化黒鉛粒子含有液をフィルム状に形成した後乾燥することによってコート膜を形成するコート膜形成工程と、コート膜中の酸化黒鉛粒子を加熱処理して還元することで導電膜を備えた導電体を形成する還元工程とを含み、還元工程が、コート膜を加湿する加湿工程を含む、導電体の製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
導電膜を備えた導電体の製造方法において、 酸化黒鉛粒子及び還元剤を含有する酸化黒鉛粒子含有液をフィルム状に形成した後乾燥することによってコート膜を形成するコート膜形成工程と、 前記コート膜中の前記酸化黒鉛粒子を加熱処理して還元することで前記導電膜を備えた導電体を形成する還元工程とを含み、 前記還元工程が、前記コート膜を加湿する加湿工程を含む、導電体の製造方法。
IPC (6件)：
H01B 13/00 ,  H01B 1/24 ,  H01B 1/00 ,  C09D 5/24 ,  C09D 7/12 ,  C09D 201/00
FI (6件)：
H01B13/00 501Z ,  H01B1/24 B ,  H01B1/00 H ,  C09D5/24 ,  C09D7/12 ,  C09D201/00
Fターム (9件)：
4J038HA036 ,  4J038KA12 ,  4J038KA20 ,  4J038NA20 ,  4J038PA18 ,  4J038PB09 ,  5G301DA19 ,  5G301DA42 ,  5G301DD08
引用特許：
出願人引用 (3件)

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