特許

J-GLOBAL ID：201003036370283410

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 笠見 雅司 ,  井上 一吉 ,  笘井 重和 ,  矢野 公規 ,  川嶋 浩和
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (3件)： 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-198214
公開番号（公開出願番号）：特開2010-040552
出願日： 2008年07月31日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：

【課題】良好なトランジスタ特性を示し、酸素分圧等の周囲の雰囲気の影響を防止でき、安定した半導体特性を示す電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】ソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極に接しており、層厚方向で比抵抗が異なり、結晶酸化物を含む酸化物半導体膜と、ゲート電極と、ゲート電極と酸化物半導体膜の間にゲート絶縁膜を有し、酸化物半導体膜のゲート絶縁膜側の比抵抗が、ソース電極及びドレイン電極側の比抵抗に比べて低い薄膜トランジスタ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極及びドレイン電極に接しており、層厚方向で比抵抗が異なり、結晶酸化物を含む酸化物半導体膜と、 ゲート電極と、 前記ゲート電極と前記酸化物半導体膜の間にゲート絶縁膜を有し、 前記酸化物半導体膜のゲート絶縁膜側の比抵抗が、ソース電極及びドレイン電極側の比抵抗に比べて低い薄膜トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (2件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E

Fターム (39件)：

5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 国際公開WO2005/015643号パンフレット
  
• 国際公開2005/088726号パンフレット
  
• 透明導電膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-194691   出願人：凸版印刷株式会社
• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-262991   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所