特許
J-GLOBAL ID：201003036522318605

半導体素子の形成方法および半導体素子

発明者：
薮田 久人

薮田 久人 について

, 
加地 信幸

加地 信幸 について

, 
林 享

林 享 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 阿部 琢磨 ,  黒岩 創吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-053712
公開番号（公開出願番号）：特開2010-212285
出願日： 2009年03月06日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：
【課題】高性能なp型酸化物半導体膜を安価に得られ、また酸化物半導体を用いた相補型素子を作製する際には、n型半導体とp型半導体を別々の工程で成膜しなくてもよくコスト低減可能なSnOを含む膜の形成方法を提供する。【解決手段】SnOを含む膜を形成する第1の工程と、前記SnOを含む膜の上に酸化物又は窒化物からなる絶縁膜を形成する第2の工程と、前記SnOを含む膜と前記絶縁膜を含む積層膜を熱処理する第3の工程とを含む。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
SnOを含む膜を形成する第1の工程と、前記SnOを含む膜の上に酸化物又は窒化物からなる絶縁膜を形成する第2の工程と、前記SnOを含む膜と前記絶縁膜を含む積層膜を熱処理する第3の工程と、 を含むことを特徴とするSnOを含む膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/203 ,  H01L 29/786
FI (3件)：
H01L21/203 S ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613A
Fターム (26件)：
5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103LL13 ,  5F103PP03 ,  5F103RR05 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG43 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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