原子層堆積法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 小林良博 , 出野知 , 蛯谷厚志
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-547254
公開番号（公開出願番号）：特表2010-517292
出願日： 2008年01月14日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：

本発明は、トランジスタに使用するための酸化亜鉛系薄膜半導体を製造する方法に関し、基板上に薄膜材料を堆積することを含み、第1、第2および第3ガス材料を含む複数のガス材料を提供することを含み、該第1又は第2ガス材料の一方が該基体の表面にある場合に、該第1又は第2ガス材料のもう一方が反応して該基体上に材料の層を堆積するように、該第1ガス材料は亜鉛含有揮発性材料であり、該第2ガス材料はそれと反応し、そして第3のガス材料は、該第1又は第2ガス材料との反応することに関して不活性である。

請求項（抜粋）：

基板上に薄膜材料を堆積することにより、トランジスタに使用するためのn型酸化亜鉛系薄膜半導体を製造する方法であって、細長い実質的に平行なチャネルに沿って一連のガス流を同時に当てることを含み、そして、該一連のガス流が、順番に、少なくとも、第1反応ガス材料と、不活性パージガスと、第2反応ガス材料とを、任意選択的に複数回繰り返された状態で含み、該第1反応ガス材料が、該n型酸化亜鉛系薄膜半導体を形成するために、該第2反応ガス材料で処理された基板表面と反応することができ、該第1反応ガス材料は、亜鉛基及び有機基の両方を含む揮発性有機亜鉛前駆体化合物であり; 揮発性アクセプタ・ドーパント前駆体が、該第1反応ガス材料、第2反応ガス材料、不活性パージガス、又は補足ガス材料の追加のガス流中に導入され; 該方法が、実質的に大気圧で又は大気圧を上回る圧力で行われ、そして堆積中の該基板の温度が250°C未満であり、これにより、該揮発性アクセプタ・ドーパント前駆体が反応し、該n型酸化亜鉛系薄膜半導体中にアクセプタ・ドーパントとして組み込まれる、n型酸化亜鉛系薄膜半導体を製造する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/365 , C23C 16/40 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L21/365 , C23C16/40 , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/78 618F

Fターム (95件)：

4K030AA11 , 4K030AA18 , 4K030BA47 , 4K030CA06 , 4K030CA17 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA13 , 5F045AA04 , 5F045AB22 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD05 , 5F045AE29 , 5F045AF07 , 5F045BB08 , 5F045BB16 , 5F045CA15 , 5F045DA60 , 5F045DA62 , 5F045DP22 , 5F045DP23 , 5F045DQ10 , 5F045EE02 , 5F045EE11 , 5F045EE19 , 5F045EE20 , 5F045EF01 , 5F045EF08 , 5F045EF09 , 5F045EF20 , 5F045GB15 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110BB09 , 5F110BB10 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF22 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG55 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK39 , 5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜の製造方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-128273 出願人：スズキ株式会社

審査官引用 (1件)

薄膜の製造方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-128273 出願人：スズキ株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

Dependence of the electrical propertiies of the Zn

審査官引用 (1件)

Dependence of the electrical propertiies of the Zn

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