特許
J-GLOBAL ID：200903005993656302

薄膜の製造方法およびその装置

発明者：
高橋 直行

高橋 直行 について

, 
中村 ▲高▲遠

中村 ▲高▲遠 について

, 
▲高▼橋 正志

▲高▼橋 正志 について


出願人/特許権者：
スズキ株式会社

スズキ株式会社 について


代理人 (1件)： 奥山 尚一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-128273
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324070
出願日： 2002年04月30日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：
【要約】【課題】 真空装置やバルブなど高価な装置および複雑な工程を用いることなく、大気圧下で原子層堆積法により高品位の薄膜を作製する方法を提供する。【解決手段】 第1原料ガス雰囲気からなる領域3と第2原料ガス雰囲気からなる領域4と該2つの領域間を分割するパージガス雰囲気からなる領域5とを成膜反応部1に形成する工程、および、成膜反応部1内の各領域に基材10を移動させながらパージガス雰囲気の領域5を隔てて該基材上に各原料ガスを交互に供給して薄膜を作製する工程、を含む薄膜の製造方法、並びに、基材支持台11と、基材移動手段と、金属ハロゲン化物を含む原料ガスのガス供給手段Aと、酸素を含む原料ガスのガス供給手段Bと、パージガスを供給する浄化手段Cと、を含むことを特徴とする薄膜の製造装置。
請求項（抜粋）：
大気圧下での原子層堆積法による薄膜の製造方法であって、第1原料ガス雰囲気からなる領域と、第2原料ガス雰囲気からなる領域と、該2つの領域間を分割するパージガス雰囲気からなる領域と、を成膜反応部に形成する工程、および、該成膜反応部内の各領域に基材を移動させながら、パージガス雰囲気の領域を隔てて該基材上に各原料ガスを交互に供給して薄膜を作製する工程、を含むことを特徴とする薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 14/54 ,  C23C 16/455
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 14/54 ,  C23C 16/455
Fターム (26件)：
4K029BA18 ,  4K029BA49 ,  4K029CA02 ,  4K029DA06 ,  4K029DB05 ,  4K029EA04 ,  4K029JA00 ,  4K030AA03 ,  4K030AA14 ,  4K030BA21 ,  4K030BA47 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA04 ,  4K030KA02 ,  5F045AA15 ,  5F045AB22 ,  5F045AC03 ,  5F045AC11 ,  5F045AF09 ,  5F045BB14 ,  5F045BB17 ,  5F045EC01 ,  5F045EE01 ,  5F045EF15 ,  5F045EM01
引用特許：
審査官引用 (7件)
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