特許
J-GLOBAL ID：201003037279303048

発光装置および電子機器、発光装置の製造方法

発明者：
小林 英和

小林 英和 について

, 
白鳥 幸也

白鳥 幸也 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-219266
公開番号（公開出願番号）：特開2010-055919
出願日： 2008年08月28日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：
【課題】トップエミッション型の発光装置において発光素子の導電性が劣化することを抑制する。【解決手段】第1基板10と、第1基板10上に形成された光反射層14と、光反射層14上に形成された画素電極16と、画素電極16上に形成された発光機能層18と、発光機能層18上に形成された電子注入層20と、電子注入層20上に形成されて半透過反射性を有する対向電極22と、を具備し、対向電極22はAg合金で形成され、そのAgの含有量は、対向電極22の抵抗率が31×10-8Ω・m以下になるように設定される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成された光反射層と、 前記光反射層上に形成された第1電極と、 前記第1電極上に形成された発光機能層と、 前記発光機能層上に形成された電子注入層と、 前記電子注入層上に形成されて半透過反射性を有する第2電極と、を具備し、 前記第2電極はAg合金で形成され、そのAgの含有量は、Ag比率が50原子%以上98原子%以下である、 発光装置。
IPC (6件)：
H05B 33/28 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/24 ,  H05B 33/26 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/10
FI (7件)：
H05B33/28 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/24 ,  H05B33/26 Z ,  H05B33/22 A ,  H05B33/22 Z ,  H05B33/10
Fターム (22件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB04 ,  3K107BB08 ,  3K107CC12 ,  3K107CC21 ,  3K107DD03 ,  3K107DD26 ,  3K107DD27 ,  3K107DD41Y ,  3K107DD44Y ,  3K107DD74 ,  3K107DD84 ,  3K107EE33 ,  3K107FF04 ,  3K107FF14 ,  3K107FF15 ,  3K107GG04 ,  4K029BA22 ,  4K029BC03 ,  4K029BD00 ,  4K029EA02
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特許第2723242号公報
審査官引用 (5件)
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